半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，以及衬底上的栅区和栅区两侧的半导体区；在所述栅区的侧壁上形成覆盖部分半导体区的牺牲侧墙；在所述牺牲侧墙之外的半导体区以及栅区上形成金属层；去除牺牲侧墙；进行退火，金属层与半导体区反应，从而在半导体区上形成金属半导体化合物层；去除未反应的金属层。通过该牺牲侧墙的厚度将金属层与器件的沟道及栅区隔开一段距离，从而降低金属层扩散对沟道及栅区的影响，提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体制造技术，更具体地说，涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
目前，在CMOS制造工艺中，通常采用自对准(SALICIDE，Self-AlignedSilicide)的方法在源漏区上形成金属半导体化合物，从而减小接触塞(contact)同源漏区之间的接触电阻，而随着半导体技术的飞速发展，器件的特征尺寸不断减小，而器件性能要求越来越高，于是，需要采用更小电阻率的金属来形成金属半导体化合物，以减小接触电阻。由于Ni(镍)或Ni-Pt(镍-铂合金)具有低的电阻率、低温形成以及低接触电阻等特性，在目前较先进的工艺中，普遍采用Ni或Ni-Pt来自对准形成Ni或Ni-Pt的硅化物。以硅衬底上形成MOS器件为例，自对准形成Ni或Ni-Pt的硅化物的步骤主要包括：在形成栅区和源漏区之后，首先，淀积Ni或Ni-Pt，而后，进行第一次低温退火，温度在300℃左右，此时，源漏区上的Ni或Ni-Pt同硅衬底形成了富镍(Ni-riched)硅化物，而后，去除没有反应的Ni或Ni-Pt，最后，进行第二次高温退火，温度在450-500℃左右，使富镍(Ni-riched)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，以及衬底上的栅区和栅区两侧的半导体区；在所述栅区的侧壁上形成覆盖部分半导体区的牺牲侧墙；在所述牺牲侧墙之外的半导体区以及栅区上形成金属层；去除牺牲侧墙；进行退火，金属层与半导体区反应，从而在半导体区上形成金属半导体化合物层；去除未反应的金属层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，以及衬底上的栅区和栅区两侧的半导体区；在所述栅区的侧壁上形成覆盖部分半导体区的牺牲侧墙；在所述牺牲侧墙之外的半导体区以及栅区上形成金属层；去除牺牲侧墙；进行退火，金属层与半导体区反应，从而在半导体区上形成金属半导体化合物层；去除未反应的金属层；其中，形成所述牺牲侧墙为OTS或DTS。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层为包括镍的金属材料。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属层包括：镍或镍铂合金或他们的组合。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体区包括：Si、...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟汇才，罗军，赵超，梁擎擎，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：