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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，以及衬底上的栅区和栅区两侧的半导体区；在所述栅区的侧壁上形成覆盖部分半导体区的牺牲侧墙；在所述牺牲侧墙之外的半导体区以及栅区上形成金属层；去除牺牲侧墙；进行退火，金属层与半导体区反应，从...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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