半导体装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括半导体基底、至少一第一鳍状结构、至少一第二鳍状结构、第一栅极、第二栅极、第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区。半导体基底包括至少一第一有源区域用于设置第一鳍状结构以及至少一第二有源区域用于设置第二鳍状结构。第一栅极/第二栅极结构部分覆盖第一鳍状结构/第二鳍状结构，且第一鳍状结构/第二鳍状结构具有不同的应力。第一源极/漏极区/第二源极/漏极区分别设置于第一栅极/第二栅极两侧的第一鳍状结构/第二鳍状结构中。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制作方法
本专利技术涉及一种半导体装置及其制作方法，尤指一种具有应变硅沟道区的半导体装置及其制作方法。
技术介绍
随着金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶体管元件尺寸持续地缩小，已知技术提出以立体或非平面(non-planar)的晶体管元件例如多栅极场效晶体管(multiplegatefieldeffecttransistor，multiplegateFET)元件取代平面晶体管元件的解决方式。由于多栅极场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状硅基体的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于沟道区域的载流子控制，从而降低小尺寸元件面临的由源极引发的能带降低(draininducedbarrierlowering，DIBL)效应以及短沟道效应(shortchanneleffect)。此外，由于多栅极场效晶体管元件中同样长度的栅极具有更大的沟道宽度，因而可获得加倍的漏极驱动电流。因此，为符合高集成度、高效能和低耗电的半导体元件设计潮流以及产品需求，如何制作新颖的多栅极场效晶体管元件以增进电性表现仍为相关技术者所欲研究的课题。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种制作半导体装置的方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底具有第一有源区域以及第二有源区域；形成至少一第一鳍状结构于该第一有源区域上，而整个该第一鳍状结构具有第一应力；以及形成至少一第二鳍状结构于该第二有源区域上，而整个该第二鳍状结构具有不同于该第一应力的第二应力。

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体装置的方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底具有第一有源区域以及第二有源区域；形成具有第一应力的半导体层于该半导体基底上，该半导体层的材料具有至少两种4A族元素；进行离子注入工艺，在该半导体基底的该第二有源区域中注入至少一种该4A族元素，以将该第二有源区域中的该半导体层改性成具有第二应力；图案化该半导体层以形成至少一第一鳍状结构于该第一有源区域上，而整个该第一鳍状结构具有该第一应力；以及图案化该半导体层以形成至少一第二鳍状结构于该第二有源区域上，而整个该第二鳍状结构具有不同于该第一应力的该第二应力。2.如权利要求1所述的制作半导体装置的方法，进一步包括：形成第一栅极部分覆盖该第一鳍状结构；形成第二栅极部分覆盖该第二鳍状结构；形成第一源极/漏极区分别位于该第一栅极两侧的该第一鳍状结构中；以及形成第二源极/漏极区分别位于该第二栅极两侧的该第二鳍状结构中。3.如权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中各鳍状结构的材料组成以硅锗碳Si(1-x-y)GexCy表示，且x及y为介于0与1之间的正数。4.如权利要求3所述的制作半导体装置的方法，其中该第一有源区域包括N型晶体管区，且整个该第一鳍状结构的材料组成中，y与x的比值大于0.1。5.如权利要求3所述的制作半导体装置的方法，其中该第二有源区域包括P型晶体管区，且整个该第二鳍状结构的材料中，y与x的比值小于0.1。6.如权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中该离子注入工艺进行于图案化该半导体层之后。7.如权利要求1所述的制作半导体装置的方法，其中该半导体层包括硅、硅锗碳Si(1-x-y)GexCy、硅碳Si(1-y)Cy或硅锗Si(1-x)Gex，且x及y为大于0且小于1的正数。8.如权利要求1所述的制作半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡腾群，吴俊元，刘志建，简金城，林进富，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：