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本发明公开一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括半导体基底、至少一第一鳍状结构、至少一第二鳍状结构、第一栅极、第二栅极、第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区。半导体基底包括至少一第一有源区域用于设置第一鳍状结构以及至少一第二有源区域用...
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