一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构包括覆盖层和牺牲栅电极层；在所述虚拟栅极结构的顶部和侧面形成一侧壁，所述侧壁不含有氧；在所述虚拟栅极结构的两侧形成紧靠所述侧壁的间隙壁结构；去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽；实施金属栅的回填，以填充所述栅沟槽。根据本发明专利技术，在形成CMOS器件的高k金属栅极结构的侧壁的过程中，可以避免在所述高k金属栅极结构的覆盖层和金属栅极之间形成界面层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种形成高k金属栅极结构的侧壁的方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断革新，集成电路中的各种元件的尺寸不断缩小，同时功能化密度不断增大。在按比例缩小的原则下不断发展的集成电路制造技术提高了生产效率，降低了制造成本；同时，也带来了高功耗的问题。通过应用具有低功耗特点的半导体 器件，例如互补金属氧化物半导体(CMOS)，可以解决上述高功耗的问题。典型的CMOS包括栅氧化物和多晶硅栅极。由于半导体器件特征尺寸的不断减小，用高k栅介电质和金属栅极分别替代CMOS中的栅氧化物和多晶硅栅极，可以改善CMOS器件的性能。形成CMOS器件的高k金属栅极结构的传统方法如图IA-图IE所示。首先，如图IA所示，提供半导体衬底100，在所述半导体衬底100上形成有虚拟栅极结构101，作为一个示例，所述虚拟栅极结构101包括自下而上依次层叠的薄氧化物层、高k介电层、覆盖层(capping layer)102和牺牲栅电极层103。其中，所述覆盖层102的材料为氮化钛(TiN)或氮化钽(TaN)，牺牲栅电极层103的材料为多晶硅，所述覆盖层102的厚度为10-4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构包括覆盖层和牺牲栅电极层；在所述虚拟栅极结构的顶部和侧面形成一侧壁，所述侧壁不含有氧；在所述虚拟栅极结构的两侧形成紧靠所述侧壁的间隙壁结构；?去除所述牺牲栅电极层，以在所述间隙壁结构的中间形成一栅沟槽；实施金属栅的回填，以填充所述栅沟槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：平延磊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：