半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法技术

本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法。该半导体器件结构制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上沿第一方向形成鳍；在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线，所述栅极线经由栅介质层与鳍相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；以及在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及一种带有鳍的半导体器件结构及其制作方法，其中能够高质量地形成栅电极图案，还涉及一种半导体鳍制作方法，其中能够高质量地形成半导体鳍图案。
技术介绍
随着集成密度的日益提高，鳍式晶体管结构如FinFET(鳍式场效应晶体管)由于其良好的电学性能、可扩展性以及与常规制造工艺的兼容性而倍受关注。图I中示出了示例FinFET的透视图。如图I所示，该FinFET包括体Si半导体衬底101 ;在体Si半导体衬底101上形成的鳍102 ;与鳍102相交的栅电极103，栅电极103与鳍102之间设有栅介 质层104;以及隔离区(如SiO2) 105。在该FinFET中，在栅电极103的控制下，在鳍102中具体地在鳍102的三个侧壁(图中左、右侧壁以及顶壁)中产生导电沟道，如图I中箭头所示。也即，鳍102位于栅电极103之下的部分充当沟道区，源极区、漏极区则分别位于沟道区两侧。在图I的示例中，FinFET形成于体半导体衬底上，但是FinFET也可以形成于其他形式的衬底如SOI (绝缘体上半导体)衬底上。另外，图I所示的FET由于在鳍102的三个侧壁上均能产生沟道，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体器件结构的方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上沿第一方向形成鳍；在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线，所述栅极线经由栅介质层与鳍相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；以及在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟汇才，梁擎擎，罗军，赵超，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：