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本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体器件的衬底，所述衬底上形成有栅极结构和第一层间电介质层，所述栅极结构包括金属栅极，所述第一层间电介质层的上表面与所述栅极的上表面基本上齐平；形成界面层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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