【技术实现步骤摘要】
本专利技术通常涉及半导体装置及集成电路制造，尤其涉及包括静电放电保护装置的结构及其形成方法。
技术介绍
1、集成电路可能暴露于随机静电放电(electrostatic discharge；esd)事件，这可能对该集成电路的敏感电子装置造成损伤。esd事件是指在短时间内发生的正电流或负电流的不可预测的放电，且在此期间，潜在的大量且破坏性的电流被导向该集成电路的该敏感装置。esd事件可能发生于制造后芯片处理期间或芯片安装于印刷电路板或其它承载件上以后。esd事件可能源自各种来源，例如人体、机器组件、或芯片承载件。
2、可采取预防措施来保护该集成电路在esd事件期间免受损伤。一种这样的预防措施是提供片上保护电路，其经设计以在esd事件期间避免损伤该集成电路的该敏感装置。若发生esd事件，则该保护电路触发保护装置进入低阻抗状态，以将esd电流传导至地并由此将该esd电流分流远离该集成电路的该敏感装置。该保护装置保持钳制于其低阻抗状态直至该esd电流耗尽且esd电压被放电至可接受的水平。
3、需要改进的包括静电放电保护装置的结构及其形成方法。
技术实现思路
1、在一个实施例中，一种结构包括具有顶部表面的半导体衬底、包括位于该半导体衬底中的基极的静电放电保护装置、设于该静电放电保护装置的该基极中的第一沟槽隔离区、以及设于该静电放电保护装置的该基极中的第二沟槽隔离区。该第一沟槽隔离区从该半导体衬底的该顶部表面延伸至该基极中的第一深度，该第二沟槽隔离区从该半导体衬底的该顶部
2、在一个实施例中，一种方法包括形成包括位于半导体衬底中的基极的静电放电保护装置、形成设于该静电放电保护装置的该基极中的第一沟槽隔离区、以及形成设于该静电放电保护装置的该基极中的第二沟槽隔离区。该第一沟槽隔离区从该半导体衬底的顶部表面延伸至该基极中的第一深度，该第二沟槽隔离区从该半导体衬底的该顶部表面延伸至该基极中的第二深度，且该第二深度大于该第一深度。
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1.一种结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该静电放电保护装置包括位于该半导体衬底中的集电极以及位于该半导体衬底中的发射极，该集电极与该发射极具有第一导电类型，且该基极具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第二沟槽隔离区围绕该发射极。
4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第一沟槽隔离区围绕该发射极，且该第二沟槽隔离区穿过该第一沟槽隔离区的部分进入该基极中。
5.如权利要求2所述的结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，该第三沟槽隔离区围绕该发射极、该基极、该第一沟槽隔离区以及该第二沟槽隔离区。
7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，还包括：
8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，该第四沟槽隔离区围绕该集电极、该发射极、该基极、该第一沟槽隔离区以及该第二沟槽隔离区。
9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该静电
11.如权利要求10所述的结构，其特征在于，该第一沟槽隔离区围绕该发射极，该第二沟槽隔离区穿过该第一沟槽隔离区的第一部分延伸至该基极中，且该第三沟槽隔离区穿过该第一沟槽隔离区的第二部分进入该基极中。
12.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该基极环绕该第二沟槽隔离区及该第三沟槽隔离区。
13.如权利要求9所述的结构，其特征在于，还包括，
14.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二沟槽隔离区部分穿过该基极。
15.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
16.如权利要求15所述的结构，其特征在于，该静电放电保护装置包括位于该半导体衬底中的集电极以及位于该半导体衬底中的发射极，该集电极与该发射极具有第一导电类型，且该基极具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。
17.如权利要求16所述的结构，其特征在于，该第二沟槽隔离区围绕该发射极，且该第三沟槽隔离区围绕该发射极及该集电极。
18.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第二沟槽隔离区穿过该第一沟槽隔离区的部分进入该基极中。
19.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该基极环绕该第一沟槽隔离区。
20.一种方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该静电放电保护装置包括位于该半导体衬底中的集电极以及位于该半导体衬底中的发射极，该集电极与该发射极具有第一导电类型，且该基极具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第二沟槽隔离区围绕该发射极。
4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第一沟槽隔离区围绕该发射极，且该第二沟槽隔离区穿过该第一沟槽隔离区的部分进入该基极中。
5.如权利要求2所述的结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，该第三沟槽隔离区围绕该发射极、该基极、该第一沟槽隔离区以及该第二沟槽隔离区。
7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，还包括：
8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，该第四沟槽隔离区围绕该集电极、该发射极、该基极、该第一沟槽隔离区以及该第二沟槽隔离区。
9.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该静电放电保护装置包括位于该半导体衬底中的集电极以及位于该半导体衬底中的发射极，该集电极与该发射极具有第一导电类型，该基极具有与该第一导电类型相反的第二导电类型，且该第二沟槽隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆真，S·米特拉，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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