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本发明涉及用于静电放电保护装置的多深度沟槽隔离，提供包括静电放电保护装置的结构及其形成方法。该结构包括具有顶部表面的半导体衬底、包括位于该半导体衬底中的基极的静电放电保护装置、以及设于该静电放电保护装置的该基极中的第一及第二沟槽隔离区。该第...
该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。

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