静电放电保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及静电放电保护装置，提供一种装置，包括第一区域、设置在第一区域上的第二区域、设置在第二区域中的第三区域和邻接第三区域的第四区域、设置在第三区域中并耦接设置在上方的集极的第五区域、以及设置在第四区域中且耦接设置在上方的射极的第六区域。第一隔离区域设置在集极和射极间。第七区域设置在第五区域中并耦接集极，并且与第一隔离区域隔开。第一区域、第三区域、第五区域、集极和射极具有第一导电类型，其与第二区域、第四区域、第六区域和第七区域具有的第二导电类型不同。域和第七区域具有的第二导电类型不同。域和第七区域具有的第二导电类型不同。

【技术实现步骤摘要】
静电放电保护装置


[0001]本专利技术一般涉及静电放电(electrostatic discharge；ESD)保护装置。

技术介绍

[0002]ESD保护装置保护功能电路不受静电放电的影响，以防止受损电子装置(victim electronic device)发生故障或击穿(breakdown)。
[0003]需要增强应用(包括汽车级应用)的整体ESD鲁棒性(robustness)，并优化高压应用的安全ESD设计窗口。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个方面，提供了一种装置，包括：第一区域；第二区域，设置在所述第一区域上；第三区域和第四区域，设置在所述第二区域中，其中，所述第三区域邻接所述第四区域；第五区域和第六区域，所述第五区域设置在所述第三区域中，所述第六区域设置在所述第四区域中；集极(collector)区域，设置在所述第五区域上方并与所述第五区域耦接；射极(emitter)区域，设置在所述第六区域上方并与所述第六区域耦接；第一隔离区域，设置在所述集极区域和所述射极区域之间；以及第七区域，设置在所述第五本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，其特征在于，包括：第一区域；第二区域，设置在所述第一区域上；第三区域和第四区域，设置在所述第二区域中，其中，所述第三区域邻接所述第四区域；第五区域，设置在所述第三区域中，而第六区域，设置在所述第四区域中；集极区域，设置在所述第五区域上方并与所述第五区域耦接；射极区域，设置在所述第六区域上方并与所述第六区域耦接；第一隔离区域，设置在所述集极区域和所述射极区域间；以及第七区域，设置在所述第五区域中，并耦接所述集极区域，其中，所述第七区域与所述第一隔离区域隔开；其中，所述第一区域、所述第三区域、所述第五区域、所述集极区域和所述射极区域具有第一导电类型；其中，所述第二区域、所述第四区域、所述第六区域和所述第七区域具有第二导电类型；且其中，所述第一导电类型不同于所述第二导电类型。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一隔离区域跨越所述第五区域、所述第三区域、所述第四区域和所述第六区域并在所述第五区域、所述第三区域、所述第四区域和所述第六区域上方延伸。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括第二隔离区域，所述第二隔离区域邻接所述集极区域，并跨越所述第二区域、所述第三区域和所述第五区域并且设置在所述第二区域、所述第三区域和所述第五区域上方。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第七区域被配置为与所述第二隔离区域隔开。5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，邻接所述集极区域的所述第二隔离区域包括与所述集极区域直接接触的所述第二隔离区域。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，具有所述第二导电类型的第一终端区域设置在所述第五区域上方，并位于所述集极区域和所述第一隔离区域间，所述第一终端区域被配置为与所述集极区域隔开，并邻接所述第一隔离区域。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第七区域与所述第一终端区域隔开。8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，被配置为邻接所述第一隔离区域的所述第一终端区域包括被配置为与所述第一隔离区域直接接触的所述第一终端区域。9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括硅化物阻挡层，设置在所述集极区域、所述第五区域、所述第一终端区域和所述第一隔离区域上方。10.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，还包括：第三隔离区域，设置在所述第二区域上方；以及第二终端区域，具有所述第二导电类型，并设置在所述第二隔离区域和所述第三隔离区域间，且设置在所述第二区域中；其中，金属组件设置在所述第二终端区域上并通过串联电阻接地。11.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：基极区域，设置在所述第六区域上方并与所述第六区域直接接触；以及第四隔离区域，设置在所述第六区域上方，并位于所
述射极区域和所述基极区域间，且所述第四隔离区域与所述第一隔离区域隔开。12....

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：