本发明专利技术涉及静电放电保护装置，提供一种装置，包括第一区域、设置在第一区域上的第二区域、设置在第二区域中的第三区域和邻接第三区域的第四区域、设置在第三区域中并耦接设置在上方的集极的第五区域、以及设置在第四区域中且耦接设置在上方的射极的第六区域。第一隔离区域设置在集极和射极间。第七区域设置在第五区域中并耦接集极，并且与第一隔离区域隔开。第一区域、第三区域、第五区域、集极和射极具有第一导电类型，其与第二区域、第四区域、第六区域和第七区域具有的第二导电类型不同。域和第七区域具有的第二导电类型不同。域和第七区域具有的第二导电类型不同。
【技术实现步骤摘要】
静电放电保护装置
[0001]本专利技术一般涉及静电放电(electrostatic discharge；ESD)保护装置。
技术介绍
[0002]ESD保护装置保护功能电路不受静电放电的影响，以防止受损电子装置(victim electronic device)发生故障或击穿(breakdown)。
[0003]需要增强应用(包括汽车级应用)的整体ESD鲁棒性(robustness)，并优化高压应用的安全ESD设计窗口。
技术实现思路
[0004]根据本公开的一个方面，提供了一种装置，包括：第一区域；第二区域，设置在所述第一区域上；第三区域和第四区域，设置在所述第二区域中，其中，所述第三区域邻接所述第四区域；第五区域和第六区域，所述第五区域设置在所述第三区域中，所述第六区域设置在所述第四区域中；集极(collector)区域，设置在所述第五区域上方并与所述第五区域耦接；射极(emitter)区域，设置在所述第六区域上方并与所述第六区域耦接；第一隔离区域，设置在所述集极区域和所述射极区域之间；以及第七区域，设置在所述第五区域中并耦接所述集极区域，其中，所述第七区域与所述第一隔离区域隔开，其中，所述第一区域、所述第三区域、所述第五区域、所述集极区域和所述射极区域具有第一导电类型；其中，所述第二区域、所述第四区域、所述第六区域和所述第七区域具有第二导电类型；且其中，所述第一导电类型不同于所述第二导电类型。
[0005]根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造装置的方法，包括：在衬底上提供第一区域；在所述第一区域上提供第二区域；在所述第二区域中提供第三区域和第四区域，其中，所述第三区域邻接所述第四区域；提供设置在所述第三区域中的第五区域；提供设置在所述第四区域中的第六区域；提供设置在所述第五区域中的第七区域；提供位于所述第五区域和所述第七区域上方并与所述第五区域和所述第七区域耦接的集极区域；提供位于所述第六区域上方并与所述第六区域耦接的射极区域和基极区域；在所述集极区域和所述射极区域之间提供第一隔离区域，并在所述第五区域、所述第三区域、所述第四区域和所述第六区域上方延伸；以及在所述射极区域和所述基极区域之间提供第二隔离区域，其中，所述第七区域被配置为与所述第一隔离区域隔开；且其中，所述第一区域、所述第三区域、所第五区域、所述集极区域和所述射极区域具有第一导电类型；其中，所述第二区域、所述第四区域、所述第六区域、所述基极区域和所述第七区域具有第二导电类型；且其中，所述第一导电类型不同于所述第二导电类型。
[0006]通过参考以下描述和附图，本文公开的实施例的这些和其他优点和特征将变得显而易见。此外，应当理解，这里描述的各种实施例的特征不是相互排斥的，并且可以以各种组合和排列存在。
附图说明
[0007]在附图中，相同的附图标记通常指的是贯穿不同附图的相同特征。此外，附图不一定按比例绘制，相反，重点通常放在说明本公开的原理上。现在将仅参考以下附图出于示例的目的来说明本公开的实施例，其中：
[0008]图1示出了根据本公开实施例的用于ESD保护的装置的横截面图；
[0009]图2示出了图1的装置的等效电路；
[0010]图3示出了根据本公开实施例的用于ESD保护的装置的横截面图；
[0011]图4示出了图3的装置的等效电路；
[0012]图5示出了根据本公开实施例的用于ESD保护的装置的横截面图；
[0013]图6表示图5的装置的等效电路；
[0014]图7A至图7D示出了技术计算机辅助设计(TCAD)中图1的装置的模拟总电流密度；
[0015]图8示出了图1的装置的100ns硅测量传输线脉冲(TLP)结果；
[0016]图9示出了图1的装置的直流电流
‑
电压特性；
[0017]图10示出了图1的装置的100ns硅测量TLP结果；
[0018]图11示出了图1的装置的100ns硅测量TLP结果；以及
[0019]图12示出了图1的装置的100ns硅测量TLP结果。
具体实施方式
[0020]实施例通常涉及半导体装置。更具体地，一些实施例涉及静电放电(ESD)保护装置，例如，可控硅整流器(silicon controlled rectifier；SCR)。示例性地，这种ESD保护装置可以并入集成电路(IC)。所述装置或IC可并入例如消费者和汽车电子产品或与例如消费者和汽车电子产品一起使用，或与其他类型的装置相关。
[0021]下面参考附图中所示的非限制性示例，更全面地解释本公开的各个方面及其某些特征、优点和细节。省略了对公知材料、制造工具、加工技术等的描述，以避免不必要地模糊本公开的细节。然而，应当理解，具体实施方式和具体示例虽然指示了本公开的各个方面，但仅以说明的方式给出，而不是以限制的方式给出。本领域技术人员将从本公开中清楚地看到在基本专利技术概念的精神和/或范围内的各种替换、修改、添加和/或布置。
[0022]以下在装置上下文中描述的非限制性实施例类似地适用于各自的方法，反之亦然。此外，应当理解，可以组合下面描述的实施例；例如，一个实施例的一部分可以与另一实施例的一部分组合。
[0023]在本说明书和权利要求书中使用的近似语言可用于修改任何可允许变化的定量表示，而不会导致与之相关的基本函数的变化。因此，由一个或多个术语(如“大约”)修改的值不限于指定的精确值。在某些情况下，近似语言可能对应于用于测量值的仪器的精度。“或”一词旨在包括“和”，除非上下文另有明确说明。
[0024]本文使用的术语仅用于描述特定示例，并不旨在限制本公开。如本文所用，单数形式“一”和“所述”也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。应进一步理解，术语“包括(comprise)”(以及任何形式的包括，例如“comprises”和“comprising”)，“具有(have)”(以及任何形式的具有，例如“has”和“having”)，“包含(include)”(以及任何形式的包含，例如“includes”和“including”)和“含有(contain)”(以及任何形式的含有，例如“contains”和
“
containing”)是开放式链接动词。因此，“包括”、“具有”、“包含”或“含有”一个或多个步骤或元件的方法或装置拥有这些一个或多个步骤或元件，但不限于仅拥有这些一个或多个步骤或元件。同样，“包括”、“具有”、、“包含”或“含有”一个或多个特征的方法的步骤或装置的元件具有这些一个或多个特征，但不限于仅具有这些一个或多个特征。此外，以特定方式配置的装置或结构至少以所述方式配置，但也可以以未列出的方式配置。
[0025]应当理解，术语“上”、“上方”、“顶”、“底”、“下”、“侧”、“后”、“左”、“右”、“前”、“横向”、“垂直”、“侧”、“向上”、“向下”等，当在以下描述中使用时，用于方便和帮助理解相对位置或方向，而不是限制任何装置或结构或任何装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种装置，其特征在于，包括：第一区域；第二区域，设置在所述第一区域上；第三区域和第四区域，设置在所述第二区域中，其中，所述第三区域邻接所述第四区域；第五区域，设置在所述第三区域中，而第六区域，设置在所述第四区域中；集极区域，设置在所述第五区域上方并与所述第五区域耦接；射极区域，设置在所述第六区域上方并与所述第六区域耦接；第一隔离区域，设置在所述集极区域和所述射极区域间；以及第七区域，设置在所述第五区域中，并耦接所述集极区域，其中，所述第七区域与所述第一隔离区域隔开；其中，所述第一区域、所述第三区域、所述第五区域、所述集极区域和所述射极区域具有第一导电类型；其中，所述第二区域、所述第四区域、所述第六区域和所述第七区域具有第二导电类型；且其中，所述第一导电类型不同于所述第二导电类型。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一隔离区域跨越所述第五区域、所述第三区域、所述第四区域和所述第六区域并在所述第五区域、所述第三区域、所述第四区域和所述第六区域上方延伸。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括第二隔离区域，所述第二隔离区域邻接所述集极区域，并跨越所述第二区域、所述第三区域和所述第五区域并且设置在所述第二区域、所述第三区域和所述第五区域上方。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第七区域被配置为与所述第二隔离区域隔开。5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，邻接所述集极区域的所述第二隔离区域包括与所述集极区域直接接触的所述第二隔离区域。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，具有所述第二导电类型的第一终端区域设置在所述第五区域上方，并位于所述集极区域和所述第一隔离区域间，所述第一终端区域被配置为与所述集极区域隔开，并邻接所述第一隔离区域。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第七区域与所述第一终端区域隔开。8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，被配置为邻接所述第一隔离区域的所述第一终端区域包括被配置为与所述第一隔离区域直接接触的所述第一终端区域。9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括硅化物阻挡层，设置在所述集极区域、所述第五区域、所述第一终端区域和所述第一隔离区域上方。10.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，还包括：第三隔离区域，设置在所述第二区域上方；以及第二终端区域，具有所述第二导电类型，并设置在所述第二隔离区域和所述第三隔离区域间，且设置在所述第二区域中；其中，金属组件设置在所述第二终端区域上并通过串联电阻接地。11.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：基极区域，设置在所述第六区域上方并与所述第六区域直接接触；以及第四隔离区域，设置在所述第六区域上方，并位于所
述射极区域和所述基极区域间，且所述第四隔离区域与所述第一隔离区域隔开。12....
【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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