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双栅极式闪存制造技术
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文档序号:8387814
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本发明涉及一种双栅极式闪存,提供一种制造介于内存栅极堆叠及选择栅极之间具有鳍状结构的分离栅极内存单元。实施例包括在该内存栅极堆叠下方的第一沟道区及在该选择栅极下方的第二沟道区。...
该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。
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