【技术实现步骤摘要】
相关专利申请的交叉引用 本申请要求于2011年8月12日提交的美国临时专利申请序列No. 61/522，953的优先权，该申请的全部公开内容通过引用明确地结合在本文中。本专利技术还与在以下申请中公开的主题相关均在同一日期提交并受让给瑞创国际公司(Ramtron InternationalCorporation) 的名称为“Method for Fabricating a Damascene Self-AlignedFerroelectric Random Access Memory (F-RAM) with Simultaneous Formation ofSidewall Ferroelectric Capacitors”的美国专利申请序列号和名称为“Method for Fabricating a Damascene Self-Aligned Ferroelectric Random AccessMemory(F-RAM)Having a Ferroelectric Capacitor Aligned with a Three DimensionalTransi...
【技术保护点】
一种在基片上形成集成电路的方法，包括：在所述基片上形成第一绝缘层，移除所述第一绝缘层的一部分以在其中形成至所述基片的暴露表面的开口；在所述开口的侧壁上形成多个第一隔离层；在所述基片的所述暴露表面上形成第一导电层，该第一导电层与所述开口的所述侧壁上的所述第一隔离层被它们之间的间隔分开；在所述第一导电层上方和所述第一导电层的侧向的所述间隔中形成铁电电容器的下电极；与所述开口中的所述隔离层相邻地形成第二绝缘层；在所述开口中的所述第二绝缘层上形成多个第二隔离层；在所述第二隔离层之间的所述下电极上形成铁电介电层；在所述铁电电介质上形成上电极；穿过部分所述第二绝缘层形成至所述下电极的下...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙山，托马斯·E·达文波特，约翰·克罗宁，
申请(专利权)人：瑞创国际公司，
类型：发明
国别省市：
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