【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2011年8月25日提交的申请号为10-2011-0085129的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种，更具体而言，涉及一种包括形成在单元区和外围区中的晶体管的。
技术介绍
非易失性存储器件是即使电源切断仍能保留其中储存的数据的存储器件。非易失性存储器的一个实例是具有被分组成串的多个存储器单元的NAND型快闪存储器件，其中存储器单元的串被共同地控制，实现了存储器件的高集成。NAND型快闪存储器件包括设置在单元区中的多个串，且每个串包括彼此串联耦接的漏极选择晶体管、多个存储器单元、以及源极选择晶体管。这里，末端彼此连接的串相互具有对称结构。此外，NAND型快闪存储器件包括设置在外围电路区中的各种单位器件，如外围电路晶体管。另外，当制造NAND型快闪存储器件时，一般将设置在单元区中的漏极选择线、源 极选择线和字线、以及设置在外围电路区中的栅同时图案化。随后，顺序地执行如下工艺形成足够厚的氧化物层以填充字线之间的空间的工艺，在外围电路栅的侧壁上形成间隔件以实现外围电路晶体管中的轻掺杂漏极(LDD...
【技术保护点】
一种用于制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在具有单元区和外围电路区的衬底之上形成栅层；在所述单元区中形成与用于选择线的区域以及相邻的选择线之间的区域相对应的栅图案，其中，在形成所述栅图案期间，通过选择性地刻蚀所述栅层来形成所述单元区中的字线和所述外围电路区中的外围电路栅；在所述外围电路栅的侧壁上形成间隔件；以及通过选择性地刻蚀所述栅图案中的与所述相邻的选择线之间的区域相对应的部分来形成所述选择线。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：权在淳，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。