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本发明公开了一种用于制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在具有单元区和外围电路区的衬底之上形成栅层；在单元区中形成与用于选择线的区域和相邻的选择线之间的区域相对应的栅图案，其中，在形成所述栅图案期间，通过选择性地刻蚀栅层来形成单元区中...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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