提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法技术

一种提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法，包括：在硅片表面制造包括第一存储位单元和第二存储位单元的闪存存储单元；第一存储位单元和第二存储位单元的侧壁上分别形成自对准的第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物；在与形成有第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物的闪存存储单元结构邻接的硅片表面形成了第一字线氧化物层；去除第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物；在去除了第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物的闪存存储单元以及第一字线氧化物层表面整体形成第二氧化物层。闪存存储单元的上表面及侧壁上的第二氧化物层形成了隧穿氧化物层，第一字线氧化物层表面的第二氧化物层和与第一字线氧化物层一起形成了字线氧化物层。

【技术实现步骤摘要】
提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。一般而言，闪存为分离栅结构或堆叠栅结构或两种结构的组合。分离栅式闪存由于其特殊的结构，相比堆叠栅闪存在编程和擦除的时候都体现出其独特的性能优势，因此分离栅式结构由于具有高的编程效率，字线的结构可以避免“过擦除”等优点，应用尤为广泛。在传统的分离栅闪存结构中，隧穿氧化层与字线氧化层实际上由同一工艺步骤形成，具有完全相同的厚度，这在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于在硅片表面制造包括第一存储位单元和第二存储位单元的闪存存储单元；第二步骤，用于在第一存储位单元和第二存储位单元的侧壁上分别形成自对准的第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物；第三步骤，用于在与形成有第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物的闪存存储单元结构邻接的硅片表面形成了第一字线氧化物层；第四步骤，用于去除第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物；第五步骤，用于在去除了第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物的闪存存储单元以及第一字线氧化物层表面整体形成第二氧化物层。

【技术特征摘要】
1.一种提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法，其特征在于包括：第一步骤，用于在硅片表面制造包括第一存储位单元和第二存储位单元的闪存存储单元；第二步骤，用于在第一存储位单元和第二存储位单元的侧壁上分别形成自对准的第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物；第三步骤，用于在与形成有第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物的闪存存储单元结构邻接的硅片表面形成了第一字线氧化物层；第四步骤，用于去除第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物；第五步骤，用于在去除了第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物的闪存存储单元以及第一字线氧化物层表面整体形成第二氧化物层。2.根据权利要求1所述的提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雄，何泽军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：