温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种提高分离栅闪存擦除和耐久性性能的方法，包括：在硅片表面制造包括第一存储位单元和第二存储位单元的闪存存储单元；第一存储位单元和第二存储位单元的侧壁上分别形成自对准的第一氮化硅隔离物和第二氮化硅隔离物；在与形成有第一氮化硅隔离物和第二氮化硅...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。