闪存的低密度奇偶校验擦除译码制造技术

固态硬盘（SSD）控制器使用LDPC译码从而实现延迟和/或纠错能力得到改进的闪存存取。对于BER小于预定值的SLC闪存，SSD控制器使用1比特读取（一次读取）硬判决LDPC译码器来存取闪存。如果硬判决LDPC译码器检测到无法纠正的错误，则SSD控制器使用1.5比特读取（两次读取）擦除判决LDPC译码器从而存取闪存。对于原始BER在两个其他预定值之间的闪存，SSD控制器只使用擦除判决LDPC译码器来存取闪存，而不使用硬判决LDPC译码器。SSD控制器的变形类似地存取MLC技术。一些SSD控制器根据动态译码器选择标准在硬决策和基于擦除的译码器之间动态地切换。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】闪存的低密度奇偶校验擦除译码相关申请的交叉引用本申请主张的优先权利益在附带的申请资料表、请求或传送单里面注明（视情况而定，如果有的话）。在即时申请类型允许的范围内，以下申请通过引用结合于本申请，以下所有申请都由本即时申请的所有人拥有：2010年3月12日递交的标题为“LDPCErasureDecodingforFlashMemories”的美国临时申请（备案号：SF-10-01，序号：61/313,681），第一专利技术人：HaoZhong。
为了提高使用性能、效率和实用性，需要闪存存取方面的提升。
技术介绍
除非明确指出是公开或熟知的，否则本文所提到的技术和概念（包括：上下文、定义或比较目的）不应当被理解为承认这种技术和概念是早先公开已知的或者是现有技术的一部分。本文引用的所有参考文献（如果有的话），包括：专利、专利申请和出版物，无论是否是专门结合的，都通过参考全部结合本申请中，以用于所有的目的。
技术实现思路
本专利技术能够以多种方式实现，包括：实现为工艺、制品、设备、系统、组合物和诸如计算机可读存储介质的计算机可读介质（例如，诸如磁盘的以光和/或磁质量存储设备的介质，或诸如闪存存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.12 US 61/313,6811.一种用于控制固态硬盘的系统，包括：用于响应于接收的对于闪存中特定位置存储的数据的请求来请求在所述特定位置的一次或多次初始读取的模块；用于响应于所述初始读取的完成来基于所述初始读取的结果经由基于硬判决的低密度奇偶校验译码来检测无法纠正的错误的模块；用于响应于用于检测的模块来请求在所述特定位置的一次或多次额外读取的模块；以及用于响应于所述额外读取的完成来基于所述额外读取的相应结果执行擦除判决低密度奇偶校验译码的模块。2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述闪存包括单层单元技术闪存，所述初始读取在数量上为一次，所述额外读取在数量上为两次，每次所述额外读取处于相应的读取电压。3.根据权利要求2所述的系统，还包括：用于向每个所述额外读取提供相应的电压说明符的模块。4.根据权利要求3所述的系统，其中，至少一个所述电压说明符是以下各项之一：显式电压电平、多个预定电压电平之一的标识符、以及多个读取请求类型之一的唯一标识。5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述闪存包括多层单元技术闪存。6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述接收与多种接口标准中的一种或多种兼容，所述接口标准包括：串行高级技术附件接口标准，串行连接小型计算机系统接口接口标准，外设部件互连高速接口标准，光纤信道接口标准，以及以太网接口标准。7.根据权利要求1所述的系统，其中，用于请求初始读取的模块和用于请求额外读取的模块经由控制器，所述控制器和所述闪存包含在被实现为多个非易失性存储组件类型之一的存储器子系统中，所述非易失性存储组件类型包括：通用串行总线存储组件类型，紧凑式闪存存储组件类型，多媒体卡存储组件类型，安全数字存储组件类型，记忆棒存储组件类型，以及xD图像卡存储组件类型。8.一种用于控制固态硬盘的方法，包括：响应于接收的对于闪存中特定位置存储的数据的请求，请求在所述特定位置的一次或多次初始读取；响应于所述初始读取的完成，基于所述初始读取的结果经由基于硬判决的低密度奇偶校验译码来检测无法纠正的错误；响应于所述检测，请求在所述特定位置的一次或多次额外读取；以及响应于所述额外读取的完成，基于所述额外读取的相应结果执行擦除判决低密度奇偶校验译码。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述闪存包括单层单元技术闪存，所述初始读取在数量上为一次，所述额外读取在数量上为两次，每次所述额外读取处于相应的读取电压。10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟浩，李焱，拉多斯拉夫·达尼拉克，厄尔·T·柯亨，
申请(专利权)人：LSI公司，
类型：
国别省市：