【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体涉及集成电路(IC)存储装置领域。本专利技术尤其涉及非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)装置以及一种以允许同时形成两个侧壁的铁电电容器的镶嵌式自对准F-RAM的形式制造非易失性F-RAM的方法的领域。
技术介绍
根据世界半导体贸易统计(WSTS)，在2010年中，半导体市场达到了一个重要的里程碑，在行业历史中首次发布大于3000亿美元的全球收益。特别地，在2010年期间，存储器芯片部分显示出最高的增长率，从2009年的450亿美元增长到2010年的710亿美元，表现出57%的年增长率。在2010年中，嵌入式存储装置占比超过整个半导体市场的23%。在这种背景下，对更高的处理能力的日益增长的需求不断推动半导体行业开发具有更高运算速度的存储装置，以支持现代电子设备的功能。F-RAM的出现已成为行业中有前景的选择，尤其在移动计算、智能电表、射频识别(RFID)装置、办公设备和其它需要非易失性的数据存储器的应用的市场区域中。标准动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)装置，尽管提供了相对快速的存取时间，但是被认为是易失性存储器装置，...
【技术保护点】
一种在衬底上形成半导体装置的方法，所述衬底具有形成在其平坦表面中的至少两个接头柱，该方法包括：形成覆盖所述平坦表面的绝缘层；选择性地去除所述绝缘层的一部分和所述平坦表面的选定部分，以形成开口，所述开口延伸到所述至少两个接头柱，且部分地在所述至少两个接头柱之间；在所述至少两个接头柱上形成邻接所述开口的侧面的第一间隔件；形成底部电极间隔件，每个底部电极间隔件邻接所述第一间隔件在所述开口中接触所述至少两个接头柱中的相应一个接头柱；在所述至少两个接头柱和所述底部电极间隔件之间，在所述开口中，形成绝缘盖；在所述绝缘层、所述绝缘盖上和所述底部电极间隔件之间，在所述开口中，形成铁电介电层...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙山，托马斯·E·达文波特，约翰·克罗宁，
申请(专利权)人：瑞创国际公司，
类型：发明
国别省市：
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