机械剥离的膜的固定曲率力加载方法技术

本公开提供一种剥离方法和一种转移材料层的方法。该剥离方法包括：在基底基板的表面上沉积应力施加层；使应力施加层与平坦转移表面接触。然后平坦转移表面沿一平面横移，该平面平行于基底基板的上表面并具有离开基底基板的上表面的垂直偏移。在从基底基板的第一边缘到基底基板的相对的第二边缘的方向上横移平坦转移表面，以使基底基板分裂并将基底基板的被剥离部分转移到平坦转移表面。平坦转移表面沿其横移的所述平面与基底基板的上表面之间的垂直偏移是固定距离。垂直偏移的固定距离提供均匀的剥离力。本公开还提供一种包括转移辊的剥离方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及电子器件制造方法，并具体涉及剥离方法。
技术介绍
一种用于将薄晶体层从源基板转移到另一基板(塑料、玻璃、金属等)的方法为受控基板剥离(controlled substrate spalling)。在这种方法中，通过在要分裂的表面(即，基底基板)上沉积应力材料(例如，金属)而去除基板的表面，其中应力材料的厚度和应力值低于自发基底基板剥离所需的厚度和应力值，但是其足够高而允许断裂开始之后的剥离。受控剥离提供一种用于从比较昂贵的厚基底基板移除多个薄半导体层的低成本且简单的方法。·
技术实现思路
本公开提供在剥离期间控制基底基板的断裂的方法。在一个实施例中，剥离方法包括在基底基板的表面上沉积应力施加层并且使应力施加层与平坦转移表面在基底基板的第一边缘处接触。在平坦转移表面接触应力施加层之后，平坦转移表面在从基底基板的第一边缘到基底基板的相对的第二边缘的方向上沿一平面横移，该平面平行于基底基板的上表面并从基底基板的上表面垂直偏移。平坦转移表面沿着其横移的平面与基底基板的上表面之间的垂直偏移为沿着基底基板的宽度(从基底基板的第一边缘到基底基板的第二边缘)的固定距离。从基底基板的第一边缘到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种剥离方法，包括：在基底基板的上表面上沉积应力施加层；使所述应力施加层与平坦转移表面在所述基底基板的第一边缘处接触；以及在从所述基底基板的所述第一边缘到所述基底基板的相对的第二边缘的方向上，沿一平面横移所述平坦转移表面，所述平面平行于所述基底基板的所述上表面并具有离开所述基底基板的所述上表面的垂直偏移，以使所述基底基板裂开并将所述基底基板的被剥离部分转移到所述平坦转移表面，所述平坦转移表面沿其横移的所述平面与所述基底基板的所述上表面之间的所述垂直偏移从所述基底基板的第一边缘到所述基底基板的所述第二边缘为固定距离，其中所述垂直偏移的所述固定距离提供均匀的剥离力。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：SW比德尔，KE福格尔，PA劳罗，刘小虎，DK萨达纳，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：