【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体器件的PN结保护工艺
，特别是硅台面半导体器件的PN结保护工艺。
技术介绍
当今硅台面半导体器件的PN结保护工艺，是采用在硅片表面涂覆一层玻璃层，以达到保护PN结的作用。其工艺原理是将稀释剂和玻璃粉的混合液，均匀涂敷在完成了扩散工序待钝化的硅片的表面，再将硅片装入载片舟，推入扩散炉，升温至470°C，在O2气氛中焙烧20分钟后将载片舟拉出，去除表面多余的玻璃粉；然后将硅片装入载片舟，推入扩散炉，升温至820°C，在O2气氛中烧结20分钟后将载片舟拉出，取下硅片，PN结表面即覆盖了一层玻璃钝化层。该工艺的不足之处在于，由于玻璃层内的气泡的存在和玻璃层密度的影响，玻璃层的厚度需要达到30 40 μ m的厚度，方能达到钝化要求。由此带来了一些弊端，半导体器件在恶劣环境中，玻璃层内会产生裂纹，从而影响钝化质量。长期以来，在半导体器件制造领域，人们不断进行工艺创进，力求降低生产成本，提高产品的性价比。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种可避免玻璃层出现裂纹的具有PN结保护的硅台面半导体器件。本技术包括两层N型层，在两层N型层之间设置P型层，在一个N型层的外侧设置SiO2保护膜层，在设有SiO2保护膜层的N型层的外侧和与该N型层连续的P型层上设置凹形台面，其特征在于在所述凹形台面上覆盖SIPOS薄膜层，在SIPOS薄膜层外设置玻璃钝化膜层。本技术采用在SIPOS薄膜层上叠加玻璃钝化膜层的方式代替传统单一的玻璃钝化膜层直接对台面半导体器件进行PN结表面保护的方式，本技术提高了半导体器件的抗恶劣环境的能力，可避免玻璃钝化膜层产生裂纹，以提高产品的...
【技术保护点】
一种具有PN结保护的硅台面半导体器件，包括两层N型层，在两层N型层之间设置P型层，在一个N型层的外侧设置SiO2保护膜层，在设有SiO2保护膜层的N型层的外侧和与该N型层连续的P型层上设置凹形台面，其特征在于在所述凹形台面上覆盖SIPOS薄膜层，在SIPOS薄膜层外设置玻璃钝化膜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明，穆连和，顾理建，王荣元，
申请(专利权)人：南通明芯微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。