大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳制造技术

本实用新型专利技术涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，所述过渡电极（2）置于阳极电极（1-4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2-1）、门极环定位槽（2-2）和芯片定位孔（2-3）。本实用新型专利技术不需要雕刻矩形电极群，只需在过渡电极上加工简单的定位孔和定位槽，大幅提高了加工效率和成品率，并且过渡电极不需与瓷环相焊接，因此没有焊接应力，与矩形电极群相比，接触面积增加了20%左右，从而提高了电极的导电、导热性能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳
本技术涉及一种陶瓷封装外壳，特别涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳。属于电力半导体器件

技术介绍
绝缘栅双极晶体管一一IGBT，随着应用领域的不断拓展，近年来取得了快速发展， 已成为当前电力电子器件的主流产品，千安级以上的大功率IGBT已成为轻型直流输电、轨道交通、新能源等大功率变流领域的首选。IGBT常被封装成两种结构，一种是采用芯片焊接和引线超声键合的塑料模块结构，这种结构的优点是工艺简单，缺点是只能实现单面散热，在高压大电流条件下可靠性变差。另一种是采用平板压接式封装的陶瓷模块，这种结构的优点是能够双面散热，清除了焊接热疲劳，提高了可靠性，在大功率领域应用上有明显优势，缺点是每个部件必须有很好的一致性，因此对工艺的要求极高。IGBT芯片常被制成独立的方片单元，对陶瓷模块来说，需要在外壳电极上雕刻一些凸出的矩形电极群来封装每个芯片单元。要完全消除电极群的机械应力、焊接高温形变等诸多因素的影响，保证整个电极群表面具有很高的平整度，从而满足IGBT芯片压接式封装的要求，这将对陶瓷外壳生产的工艺控制、成品率提出考验。随着IGBT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述陶瓷底座（1）包括自上而下叠合同心焊接的阳极法兰（1？1）、瓷环（1？2）和阳极密封圈（1？3），在所述阳极密封圈（1？3）内同心焊接有阳极电极（1？4），在所述瓷环（1？2）的壳壁上穿接有门极引线管（1？5），在所述门极引线管（1？5）的内、外端分别焊接有门极内插片（1？7）和门极外插片（1？6），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，上盖（3）包含有阴极电极（3？1）和阴极法兰（3？2），所述阴极法兰（3？2）同心焊接在阴极电极（3？1）的外缘上；所述过渡电极（2）置于阳极电极（1？4）上...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国贤，徐宏伟，陈蓓璐，
申请(专利权)人：江阴市赛英电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：