温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，所述过渡电极（2）置于阳极电极（1-4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2-...
该专利属于江阴市赛英电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴市赛英电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。