具有附加背腔的硅电容式传声器制造技术

本实用新型专利技术公开了具有附加背腔的硅电容式传声器，其包括：基板；腔筒，呈一面开口的筒形，开口面由粘着剂粘贴在所述基板，在筒内部形成附加背腔空间，在开口面的相反面形成音孔；MEMS芯片，覆盖所述腔筒的音孔，并且粘贴在所述腔筒的开口面的相反面，将从外部流入的音压变换成电信号；ASIC芯片，组装在所述基板，向所述MEMS芯片提供电源，放大所述MEMS芯片的电信号，并通过所述基板的连接端子进行输出；以及外壳。本实用新型专利技术的硅电容式传声器加大了MEMS芯片自身不足的背腔空间，因而具有能够提高灵敏度且改善THD(Total?Harmonic?Distortion)等噪声的效果。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种具有附加背腔的硅电容式传声器，包括：基板；腔筒，呈一面开口的筒形，开口面由粘着剂粘贴在所述基板，在筒内部形成附加背腔空间，在开口面的相反面形成贯通孔；ＭＥＭＳ芯片，覆盖所述腔筒的贯通孔，并且粘贴在所述腔筒的开口面的相反面，将从外部流入的音压变换成电信号；ＡＳＩＣ芯片，组装在所述基板，向所述ＭＥＭＳ芯片提供电源，放大所述ＭＥＭＳ芯片的电信号，并通过所述基板的连接端子进行输出；及外壳，呈一面开口的筒形，开口面与所述基板连接，在内部形成用于容纳所述腔筒和ＭＥＭＳ芯片和ＡＳＩＣ芯片的容纳空间，并屏蔽外部噪音。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋青淡，
申请(专利权)人：宝星电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：KR