【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体而言涉及直接构建于半导体电路的最外部保护层的顶部上的电容性气体传感器。
技术介绍
电容性气体传感器是所属领域中已知的,其具体实例是用于水蒸气(相对湿度)的测量。存在与所述传感器相关联的多种构造。一种构造使用被气体敏感材料覆盖的具有相反极性的叉指共面电极,其中增大气体浓度会使此种气体敏感材料的介电常数增大,从而增大平面电极之间的介电耦合并进而增大所述电极之间的有效电容。在叉指电极的情形中,两个电极均位于气体敏感材料的顶面下方,且通过场边缘效应(fieldfringingeffect)而发生所述平面电极之间的介电耦合。另一种构造采用平行板状电极,在所述电极之间存在气体敏感材料层,使得改变气体浓度会改变所述气体敏感材料的介电常数并改变平行板电容器的电容。在FR2750494(US6,450,026)中阐述的一种平行板构造具有由高度多孔导电聚合物构成的顶部电极,所述高度多孔导电聚合物容许所选择的气体经由所述电极扩散到气体敏感材料中。此顶部电极材料经处理,以使得其紧密结合到气体敏感材料并具有化学惰性及环境耐用性。FR2750494及US6,450,026以引用的方式全文并入本文中。电容性气体传感器的电容随气体浓度变化,且以能够电激发所述传感器的相关联电子器件来测量所述电容。制造电容性气体传感器的成本与所述传感器及相关联电子器件的物理尺寸相关联,因此期望将电容性气体传感器提供成尽 ...
【技术保护点】
一种在半导体电路的保护层上制造电容性传感器的方法,所述保护层具有暴露出第一焊盘(360)及第二焊盘(380)的开口,其特征在于,所述方法包括:在所述保护层(520)上形成金属层并将所述金属层图案化,以形成底部电极及搭接盘、以及用于将所述底部电极及所述搭接盘连接至其各自的焊盘的金属迹线,所述底部电极被定位成使所述底部电极位于所述半导体电路的具有有源电路的部分上方;在所述底部电极与所述搭接盘(530)上形成气体敏感层;形成穿过所述气体敏感层到达所述搭接盘的通路(540);在所述气体敏感层(550)上形成多孔电极,所述多孔电极经由所述通路孔电连接至所述搭接盘,其中顶部电极的一部分完全覆盖所述底部电极的表面区域且所述顶部电极的另一部分接触所述搭接盘。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.01.11 EP 1330502601.一种在半导体电路的保护层上制造电容性传感器的方法,所述保护
层具有暴露出第一焊盘(360)及第二焊盘(380)的开口,其特征在
于,所述方法包括:
在所述保护层(520)上形成金属层并将所述金属层图案化,以
形成底部电极及搭接盘、以及用于将所述底部电极及所述搭接盘连接
至其各自的焊盘的金属迹线,所述底部电极被定位成使所述底部电极
位于所述半导体电路的具有有源电路的部分上方;
在所述底部电极与所述搭接盘(530)上形成气体敏感层;
形成穿过所述气体敏感层到达所述搭接盘的通路(540);
在所述气体敏感层(550)上形成多孔电极,所述多孔电极经由
所述通路孔电连接至所述搭接盘,其中顶部电极的一部分完全覆盖所
述底部电极的表面区域且所述顶部电极的另一部分接触所述搭接盘。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括在所述顶部电极及
ASIC上形成模塑化合物,使得所述模塑化合物中的开口将所述顶部
电极暴露至周围环境且使得所述模塑化合物在所述开口周围沿所有
模塑化合物边缘覆盖至少0.1mm的所述气体敏感层。
3.一种在ASIC的保护层上制造电容性传感器的方法,其特征在于,
所述方法包括:
利用低温工艺在所述保护层的位于所述ASIC的有源电路上方的
部分上形成底部电极层及搭接盘(520);
在所述底部电极层及所述搭接盘上形成气体敏感层(530);
形成穿过所述气体敏感层到达所述搭接盘的通路(540);
利用低温工艺在所述气体敏感层上形成顶部电极层(550),其
中所述顶部电极层完全覆盖所述底部电极层的表面区域,且其中所述
形成所述顶部电极层的步骤在所述通路中沉积所述顶部电极层的一
\t部分,从而在所述顶部电极层与所述搭接盘之间形成电连接。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,还包括在所述顶部电极层
及所述ASIC上形成模塑化合物,使得所述模塑化合物中的开口将所
述顶部电极层暴露至周围环境且使得所述模塑化合物在所述开口周
围沿所有模塑化合物边缘覆盖至少0.1mm的所述气体敏感层。
5.一种气体传感器,其特征在于,包括:
半导体电路(200),具有顶部保护层(210);
金属底部电极(310),位于所述半导体电路(200)的所述保护
层(210)上,其中所述金属底部电极(310)位于所述半导体电路的
包含有源电路的区域上方,
金属搭接盘(330),位于所述保护层(210)上并与所述金属底
部电极(310)电分离;
气体敏感层(340),位于所述金属底部电极(310)及所述金属
搭接盘(330)上,所述气体敏感层(340)包含通路孔(350),所
述通路孔(350)暴露出所述搭接盘的一部分;
多孔顶部电极(320),位于所述气体敏感层(340)上,其中由
所述多孔顶部电极(320)形成的区域完全覆盖由所述金属底部电极
(310)形成的区域,且其中所述多孔顶部电极(3...
【专利技术属性】
技术研发人员:让保罗·吉耶梅,普雷德拉格·德尔利亚恰,丹尼尔·比勒,罗穆亚尔德·加洛里尼,文森特·迪塞尔,
申请(专利权)人:精量电子法国公司,
类型:发明
国别省市:法国;FR
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