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本发明公开一种位于半导体电路(例如ASIC)的保护层上的电容性传感器、以及一种制造此传感器的方法。所述系统及方法可包括：在保护层的位于ASIC的有源电路上方的部分上形成底部电极层及搭接盘(520)；在底部电极层及搭接盘上形成气体敏感层(53...
该专利属于精量电子（法国）公司所有，仅供学习研究参考，未经过精量电子（法国）公司授权不得商用。

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