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一种具有PN结保护的硅台面半导体器件，涉及半导体器件的PN结保护工艺技术领域，在两层N型层之间设置P型层，在一个N型层的外侧设置SiO2保护膜层，在设有SiO2保护膜层的N型层的外侧和与该N型层连续的P型层上设置凹形台面，其特征在于在所述凹...
该专利属于南通明芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通明芯微电子有限公司授权不得商用。

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