半导体封装件及其制法制造技术

一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：具有相对的第一与第二表面的介电层、设于第一表面上的芯片、埋设于第一表面且电性连接芯片的至少二个电性接触垫、设于第二表面上的多个植球垫、以及设于介电层中且两端分别结合电性接触垫与植球垫的导电柱，以借导电柱的设计，使得植球垫的位置与电性接触垫的位置无需相互配合，因而可依需求调整植球垫的植球面积，使布线更弹性化。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种半导体封装件，尤指一种使布线更弹性化的半导体封装件及其制法。
技术介绍
随着半导体技术的演进，半导体产品已开发出不同封装产品型态，而为追求半导体封装件的轻薄短小，因而发展出一种四方平面无引脚(Quad Flat No leads,QFN)的封装技术，其特征在于导脚不凸出该胶体表面。 如图I所示，其为第7，795，071号美国专利揭示的QFN封装件的线路结构，其通过于具有贯穿的开口 100的承载板10上形成覆盖该开口 100 —侧的绝缘层14，该绝缘层14具有外露于该开口 100的置晶侧14a与相对的植球侧14b,于该置晶侧14a上埋设多个电性接触垫12及导电迹线11，且于该植球侧14b中埋设多个植球垫15。其中，该导电迹线11位于各该电性接触垫12之间，且该植球垫15与该电性接触垫12相接合于该绝缘层14中，又该电性接触垫12用于电性连接芯片(图未示)，而该植球垫15结合焊球(图未示)以接置电路板(图未示)。然而，现有线路结构中，该植球垫15与该电性接触垫12的位置相同(中心对齐)，使得焊球布设(solder ball layout)与电性接触垫12的位置需相互配合,造成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，其包括：介电层，其具有相对的第一表面与第二表面；半导体芯片，其置于该介电层的第一表面上；至少二个电性接触垫，其埋设且外露于该介电层的第一表面，并电性连接该半导体芯片；多个植球垫，其设于该介电层的第二表面上；以及多个导电柱，其设于该介电层中，且各该导电柱具有相对的第一端与第二端，该第一端结合该电性接触垫，而第二端结合该植球垫，以电性连接该植球垫与该电性接触垫。

【技术特征摘要】
2011.07.27 TW 1001265291.一种半导体封装件，其包括 介电层，其具有相对的第一表面与第二表面； 半导体芯片，其置于该介电层的第一表面上； 至少二个电性接触垫，其埋设且外露于该介电层的第一表面，并电性连接该半导体芯片; 多个植球垫，其设于该介电层的第二表面上；以及 多个导电柱，其设于该介电层中，且各该导电柱具有相对的第一端与第二端，该第一端结合该电性接触垫，而第二端结合该植球垫，以电性连接该植球垫与该电性接触垫。2.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体芯片是以打线方式电性连接该电性接触垫。3.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括形成于该电性接触垫上的表面处理层。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，形成该表面处理层的材料为镍、钯及金。5.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括形成于该植球垫上的表面处理层。6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，形成该表面处理层的材料为镍、钯及金或有机可焊保护材。7.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括形成于该介电层的第一表面上的封装胶体，以覆盖该半导体芯片与该电性接触垫。8.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括具有贯穿开口的基板，且该介电层的第一表面设于该基板上以封盖该开口的一侧。9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体芯片位于该开口中，且该电性接触垫外露于该开口。10.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，还包括绝缘保护层，其设于该介电层的第二表面上，且外露该植球垫。11.根据权利要求I所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括多个导电迹线，其埋设于该介电层的第一表面，且位于该至少二个电性接触垫之间。12.—种半导体封装件的制法，其包括 于一基板上形成至少二个电性接触垫； 形成多个导电柱于该至少二个电性接触垫上； 形成介电层于该基板上，以包覆该导电柱与电性接触垫，且该介电层外露该导电柱； 形成多个植球垫...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧惟中，林俊贤，白裕呈，洪良易，孙铭成，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：