在功率半导体模块中的衬底的柔性连接制造技术

本发明专利技术描述了一种具有至少两个衬底（1）的功率半导体模块，所述衬底相互隔有距离地被布置，分别具有至少一个器件（21，22，23，24）或分别具有至少一个接触面（20），并且借助至少一个层（32）相互电和机械连接。所述至少一个层（32）在此这样被施加在待连接的衬底(1)上，使得所述至少一个层至少部分地覆盖所述衬底，所述至少一个器件（21，22，23，24）和/或至少一个接触面（20）仅仅分别与衬底（1）之一具有直接连接，并且所述至少一个器件（21，22，23，24）和/或至少一个接触面（20）布置在相应的衬底（1）和所述至少一个层（32）之间。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有至少两个衬底以及用于电和机械连接所述衬底的多层系统的功率半导体模块。
技术介绍
在常用的功率半导体模块中，大多在平坦的冷却体或底板上的层面中布置多个载体衬底。这些冷却体或底板理想地是完全平的，或者最大具有带有几米半径的极小的弯曲。这些衬底大多数借助金属连接被安置在冷却体或底板上并且借助键合线或焊接的铜(Cu)夹片(Clip)相互连接。处于衬底上的功率半导体例如IGBT、二极管、FET、晶闸管……例如借助由铝制成的键合线、所谓的铝(Al)粗线键合或Cu夹片被接触。 这些衬底不仅能相互电连接，而且能视应用而定地也被连接到其它组件例如驱动器上。为此，可能需要大量的单连接。这例如是焊接连接或利用短键合线的连接，它们相对于机械负荷和接触是非常敏感的。将不同的衬底相互连接的另外的可能性是使用柔性电路板。但是在此情况下需要或者焊接过程或者夹持技术，在所述焊接过程中必要时可以将衬底和PCB上的已经制造的连接再次熔化。这种夹持技术不仅需要很多位置，而且在使用陶瓷衬底的情况下还带来断裂危险的缺点。在US 2009/0231822A1中记载了借助多层布置、所谓的多层层连接衬底上的功率半导体和驱本文档来自技高网...

【技术保护点】
功率半导体模块，具有至少两个衬底（1），所述衬底－相互隔有距离地被布置，－分别具有至少一个器件（21，22，23，24）或分别具有至少一个接触面（20），并且－借助至少一个层（32）相互电和机械连接，其中－所述至少一个层（32）这样被施加在待连接的衬底(1)上，使得所述至少一个层至少部分地覆盖所述衬底，？所述至少一个器件（21，22，23，24）和/或至少一个接触面（20）仅仅分别与衬底（1）之一具有直接连接，并且？所述至少一个器件（21，22，23，24）和/或至少一个接触面（20）布置在相应的衬底（1）和所述至少一个层（32）之间。

【技术特征摘要】
2011.07.29 DE 102011080153.71.功率半导体模块，具有至少两个衬底(I)，所述衬底 一相互隔有距尚地被布置， 一分别具有至少一个器件(21，22，23，24)或分别具有至少一个接触面(20)，并且 一借助至少一个层(32)相互电和机械连接， 其中 一所述至少一个层(32)这样被施加在待连接的衬底(I)上，使得所述至少一个层至少部分地覆盖所述衬底， -所述至少一个器件(21，22，23，24)和/或至少一个接触面(20)仅仅分别与衬底(I)之一具有直接连接，并且 -所述至少一个器件(21，22，23，24)和/或至少一个接触面(20)布置在相应的衬底(I)和所述至少一个层(32 )之间。2.根据权利要求I所述的功率半导体模块，其中所述至少一个器件(21，22，23，24)借助金属层(12)被固定在衬底(I)上。3.根据权利要求I或2之一所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：O霍尔费尔德，O基尔施，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：