本发明专利技术提供耐硫化性良好的元件搭载用基板。元件搭载用基板(1)包括：低温烧成陶瓷基板(2)；形成于所述低温烧成陶瓷基板(2)的表面的由以银为主体的金属构成的厚膜导体层(3)；被覆所述厚膜导体层(3)的边缘部(31)，且与位于所述边缘部(31)外侧的所述低温烧成陶瓷基板(2)结合的由低温烧成陶瓷形成的被覆部(4)；形成于所述厚膜导体层(3)的表面的由导电性金属构成的镀覆层(5)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是涉及耐硫化性良好的元件搭载用基板及用于制造该元件搭载用基板的制造方法。
技术介绍
近年来，伴随着电子设备的高密度安装化和处理速度的高速化，普遍采用具有低介电常数且低布线电阻的优良特性的低温烧成陶瓷基板(LTCC基板)。此外，作为用于搭载如发光二极管(LED)元件等发光元件的元件搭载用基板，正在研究LTCC基板的应用。 LTCC基板是在比一般的陶瓷基板的烧成温度低的800 1000°C左右的温度下烧成的基板，通过将由玻璃与氧化铝填料、氧化锆填料等陶瓷填料形成的生片以规定的块数重叠并用热压接一体化后进行烧成来制作。在这样的LTCC基板的表面，作为连接端子(电极)，形成有对以由银或铜形成的导体金属为主体的糊料进行烧成而得的厚膜导体层。在厚膜导体层的表面形成有例如由镍镀层和金镀层形成的镀覆层(镍层/金镀层)来改善引线接合性、密合强度、耐候性等。通过形成这样的镀覆层，特别是可使耐硫化性提高，能够抑制因与空气等中的硫成分的反应而产生的厚膜导体层的变色(例如参照专利文献1、2)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本技术实公平2-36278号公报专利文献2 :日本专利特开2002-314230号公报专利技术的概要专利技术所要解决的技术问题另外，一般厚膜导体层的厚度设为5 15μπι左右，形成于其上的镀覆层、特别是镍镀层的厚度被设为5 15 μ m左右。然而，难以准确控制镍镀层的厚度，有时会形成得比预想厚。如果镍镀层形成得较厚，则会对厚膜导体层造成过度的拉伸应力，其端部可能会从LTCC基板剥离。该情况下，空气中的水分侵入LTCC基板与厚膜导体层的间隙，厚膜导体层中的银顺着端部扩散至镀覆层的表面，特别是最表层的金镀层上。以这样的状态将元件搭载用基板置于硫化性环境下时，扩散至最表层的金镀层上的银被硫化，引线接合性等可能会下降。此外，金镀层的表面呈黑色导致反射率下降，作为搭载发光元件等的基板并不一定理想。为了解决上述课题，本专利技术的目的在于提供厚膜导体层的剥离得到抑制、耐硫化性良好的元件搭载用基板。此外，本专利技术的目的还在于提供这样的耐硫化性良好元件搭载用基板的制造方法。解决技术问题所采用的技术方案本专利技术的元件搭载用基板的特征在于，包括低温烧成陶瓷基板；形成于所述低温烧成陶瓷基板的表面的由以银为主体的金属构成的厚膜导体层；被覆所述厚膜导体层的边缘部，且与位于所述边缘部外侧的所述低温烧成陶瓷基板结合的由低温烧成陶瓷形成的被覆部；形成于所述厚膜导体层的表面的由导电性金属构成的镀覆层。较好是所述被覆部中形成于所述厚膜导体层上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧O. 05 O. 2mm的位置为止的区域，所述被覆部中形成于所述低温烧成陶瓷基板上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧至少O. 2mm的位置为止的区域。较好是所述被覆部中形成于所述厚膜导体层上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧O. 03 O. 2_的位置为止的区域，所述被覆部中形成于所述低温烧成陶瓷基板上的部分形成在从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧至少O. 2mm的位置为止的区域。较好是在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧O. 05mm的位置为止的部分和从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧O. 2mm的位置为止的部分，所述被覆部从所述低温烧成陶瓷基板起算的高度为O. 04 O. 2mm。较好是在从所述厚膜导体层的端部至位于其内侧O. 03mm的位置为止的部分和从所述厚膜导体层的端部至位于其外侧O. 2mm的位置为止的部分，所述被覆部从所述低温烧成陶瓷基板起算的高度为O. 02 O. 2mm。所述被覆部较好是设置在所述厚膜导体层的整个边缘部周围，还较好是由与所述低温烧成陶瓷基板同样的材料形成。较好是所述镀覆层为包括镍镀层和形成于其上的金镀层的2层结构。本专利技术的元件搭载用基板的制造方法的特征在于，包括在由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物形成的未烧成基板的表面形成由以银为主体的金属的糊料构成的未烧成厚膜导体层的工序；以横跨所述未烧成厚膜导体层的边缘部和位于所述边缘部外侧的所述未烧成基板的方式，形成由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物构成的未烧成被覆部的工序；对形成有所述未烧成厚膜导体层和所述未烧成被覆部的所述未烧成基板进行烧成，制造具有厚膜导体层和被覆部的基板的工序；在所述厚膜导体层的表面形成由导电性金属构成的镀覆层的工序。较好是所述未烧成被覆部由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物的生片形成。专利技术的效果如果采用本专利技术，则以被覆厚膜导体层的边缘部且与位于该边缘部外侧的低温烧成陶瓷基板结合的方式设置由低温烧成陶瓷形成的被覆部，从而可抑制厚膜导体层自低温烧成陶瓷基板的剥离，获得耐硫化性良好的元件搭载用基板。附图的简单说明图I是表示本专利技术的元件搭载用基板的一例的俯视图。图2是图I所示的元件搭载用基板的X-X线剖视图。图3是将图2的一部分放大表示的放大剖视图。图4是表示本专利技术的元件搭载用基板的变形例的放大剖视图。图5是用于说明本专利技术的元件搭载用基板的制造方法的说明图。实施专利技术的方式以下，参照附图 对本专利技术进行说明。图I是表不本专利技术的兀件搭载用基板I的一例的俯视图。此外，图2是图I所不的元件搭载用基板的X-X线剖视图，图3是将其一部分放大表示的放大剖视图。本专利技术的元件搭载用基板I具有由包含玻璃粉末和陶瓷填料的玻璃陶瓷组合物的烧结体形成的低温烧成陶瓷基板(LTCC基板)2。在LTCC基板2的一侧主面设有搭载元件、例如LED元件等发光元件的搭载面2a。LTCC基板2的形状、厚度、尺寸等并无限制，虽未图示，但例如可以在LTCC基板2的搭载面2a侧以包围该搭载面2a的方式设有内侧呈例如圆形的侧壁。在搭载面2a的所需位置形成有成为与元件电连接的连接端子(即电极)的厚膜导体层3。厚膜导体层3由以银为主体的导体金属形成，如后所述通过利用丝网印刷等印刷导体金属的糊料并烧成而形成。在这里，由以银为主体的导体金属形成的厚膜导体层是指银的含量在90%以上、较好是95%的厚膜导体层。此外，LTCC基板2上形成有被覆厚膜导体层3的边缘部31且与位于该边缘部31外侧的LTCC基板2结合的由低温烧成陶瓷形成的被覆部4。并且，在厚膜导体层3的表面中未被被覆部4被覆的部分、具体为被覆部4的内侧以无间隙地被覆厚膜导体层3的方式形成有由导电性金属构成的镀覆层5。虽未图示，但镀覆层5例如由被覆厚膜导体层3表面的镍镀层和被覆该镍镀层的金镀层构成。另一方面，在位于搭载面2a的相反侧的非搭载面2b形成有成为外部连接用连接端子(即电极)的厚膜导体层3，在该厚膜导体层3上以无间隙地被覆整个表面的方式形成有镀覆层5。此外，在LTCC基板2的内部设有将搭载面2a的连接端子和非搭载面2b的连接端子电连接的贯穿导体6。非搭载面2b的厚膜导体层3、镀覆层5分别可使用与形成于搭载面2a的厚膜导体层3、镀覆层5同样的材料。此外，贯穿导体6可使用与形成于搭载面2a或非搭载面2b的厚膜导体层3同样的材料。本专利技术的元件搭载用基板I的特征在于，如上所述具有被覆厚膜导体层3的边缘部31且与位于该边缘部31外侧的LTCC基板2结合的由低温烧成陶瓷形成的被覆部4。被覆部4至少设置在设于搭载部2本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：中山勝寿，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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