半导体器件、通过垂直层叠半导体器件配置的半导体模块结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件、通过垂直层叠半导体器件配置的半导体模块结构及其制造方法。一种半导体器件包括：有机基板1；通孔4，沿基板的厚度方向贯穿有机基板；内部和外部电极5a，5b，在有机基板1的前和后面上并与通孔4电连接；半导体元件，经接合层3安装在有机基板1的一主表面上，其元件电路表面面向上；绝缘材料层6，密封半导体元件及其周边；金属薄膜布线层7，在绝缘材料层中提供，其一部分在外表面上暴露；金属过孔10，在绝缘材料层中并与布线层7电连接；以及，外部电极9，在布线层7上形成，其中布线层7被构造为电连接在半导体元件2的元件电路表面上的电极、电极5a、金属过孔10以及在布线层上形成的外部电极9。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件通过层叠半导体器件配置的半导体模块结构及其制造方法。更具体地，本专利技术涉及面板级扇出封装结构(Panel scale fan-out packagestructure)，其中以面板级进行所述薄膜布线工艺和组装工艺，并且更具体地，本专利技术可以应用于具有其中多个封装被垂直层叠的结构的半导体层叠模块。
技术介绍
根据最近对功能更高和更轻、更薄以及更小的电子装备的要求，电子部件的高密度集成和更高密度装配被发展并且还发展了在前述电子装备中使用的比以前更进一步缩小尺寸的半导体器件。作为制造半导体器件(例如LSI单元或者IC模块)的方法，存在这样的方法，包括最初以预定的设置将在电学性能测试中被检测为无缺陷的多个半导体元件设置并附接在保持板上，其中元件电路表面面向下，之后整体树脂密封多个半导体元件(例如，通过在其上布置树脂片并且通过加热和加压使其成型)，随后剥离保持板，将树脂封装体切割并且处理成预定形状(例如，圆形)随后，在嵌入树脂密封体中的半导体元件的元件电路表面上形成绝缘材料层，在绝缘材料层中形成开口以便与半导体元件的电极衬垫对齐，之后，在绝缘材料层上形成布线层，在开口中形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：有机基板；通孔，在基板的厚度方向上贯穿所述有机基板；外部电极和内部电极，被提供到所述有机基板的前面和后面并且电连接到所述通孔；半导体元件，通过接合层安装在所述有机基板的一个主表面上，所述半导体元件的元件电路表面面向上；绝缘材料层，用于密封所述半导体元件及其周边；金属薄膜布线层，被提供在所述绝缘材料层中，所述金属薄膜布线层的一部分在外表面上暴露；金属过孔，被提供在所述绝缘材料层中并且电连接到所述金属薄膜布线层；以及，在所述金属薄膜布线层上形成的外部电极，其中所述金属薄膜布线层被构造为电连接设置在所述半导体元件的所述元件电路表面上的电极、所述内部电极、所述金属过孔以及在所述金...

【技术特征摘要】
2011.07.28 JP 165200/20111.一种半导体器件，包括 有机基板； 通孔，在基板的厚度方向上贯穿所述有机基板； 外部电极和内部电极，被提供到所述有机基板的前面和后面并且电连接到所述通孔；半导体元件，通过接合层安装在所述有机基板的一个主表面上，所述半导体元件的元件电路表面面向上； 绝缘材料层，用于密封所述半导体元件及其周边； 金属薄膜布线层，被提供在所述绝缘材料层中，所述金属薄膜布线层的一部分在外表面上暴露； 金属过孔，被提供在所述绝缘材料层中并且电连接到所述金属薄膜布线层；以及， 在所述金属薄膜布线层上形成的外部电极， 其中所述金属薄膜布线层被构造为电连接设置在所述半导体元件的所述元件电路表面上的电极、所述内部电极、所述金属过孔以及在所述金属薄膜布线层上形成的所述外部电极。2.根据权利要求I的半导体器件，其中由分别地不同绝缘材料构成的多种绝缘材料层形成所述绝缘材料层。3.根据权利要求I或2的半导体器件，其中以多个层的形式提供所述金属薄膜布线层和与其连接的所述金属过孔。4.根据权利要求I到3中的任一项的半导体器件，其中未电连接到所述绝缘材料层中的所述金属薄膜布线层的通孔被设置在所述有机基板的面向所述半导体元件的区域中。5.根据权利要求I到4中的任一项的半导体器件，其中在所述有机基板上提供多个半导体元件。6.一种模块结构，其中多个根据权利要求I到5中的任一项的所述半导体器件通过连接在所述半导体器件中的一个上的所述金...

【专利技术属性】
技术研发人员：山方修武，胜又章夫，井上广司，泽地茂典，板仓悟，山地泰弘，
申请(专利权)人：株式会社吉帝伟士，
类型：发明
国别省市：