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本发明涉及半导体器件、通过垂直层叠半导体器件配置的半导体模块结构及其制造方法。一种半导体器件包括：有机基板1；通孔4，沿基板的厚度方向贯穿有机基板；内部和外部电极5a，5b，在有机基板1的前和后面上并与通孔4电连接；半导体元件，经接合层3安...
该专利属于株式会社吉帝伟士所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社吉帝伟士授权不得商用。

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