半导体制造装置及制造方法制造方法及图纸

技术编号:16702366 阅读:39 留言:0更新日期:2017-12-02 15:16
本发明专利技术提供既可维持半导体芯片对于被搭载体的被粘接面的搭载精度,又可缩短芯片贴装所消耗的时间的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本发明专利技术的半导体制造装置包括:工作台,与真空发生器相连接,用于吸附具有多个半导体芯片的半导体晶片;吸附控制部,连接于所述工作台与所述真空发生器之间的连接部,控制所述工作台与所述真空发生器之间的连接;拾取部,用于拾取所述多个半导体芯片的各个;以及控制部,用于控制所述拾取部的移动和旋转,并控制所述吸附控制部,所述拾取部利用所述控制部将所述半导体芯片从所述工作台移动至支承基板上的安装位置而粘结。

Semiconductor manufacturing devices and manufacturing methods

The invention provides a semiconductor manufacturing device and a semiconductor device manufacturing method, which not only can maintain the accuracy of the semiconductor chip for the bonding surface of the carrying body, but also shorten the time consumed by chip mounting. A semiconductor manufacturing device of the invention comprises: a worktable is connected with the vacuum generator, used for the adsorption of semiconductor wafer having a plurality of semiconductor chips; adsorption control part is connected with the connecting part between the worktable and the vacuum generator, control the connection between the worktable and the vacuum generator; picking department and for each of the plurality of semiconductor chip pickup; and a control section for controlling movement of the pickup unit and the rotation, and controls the adsorption control department, the Department of the Ministry of picking up control of the semiconductor chip from the working table moves to the supporting substrate mounting position and bonding.

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置及制造方法
本专利技术涉及半导体制造装置及制造方法,尤其涉及用于实现高速的芯片贴装(dieattach)的半导体制造装置及制造方法。
技术介绍
在用于从划片了的晶片中取出半导体器件并搭载于引线框架、基板等的被搭载体的芯片贴装装置中,通常,单独地取出划片了的半导体器件,相对于被搭载体进行位置对准并贴装在被搭载体的表面上。在这种芯片贴装装置(例如专利文献1及专利文献2)中,将配置在粘结层或粘结片上的半导体器件逐个地取出并粘结在被搭载体的表面,因此存在芯片贴装工序消耗时间的问题。尤其是,半导体器件的厚度越薄,则从粘结层或粘结片剥离半导体器件的时间就越长,成为缩短芯片贴装工序所消耗的时间的障碍。(现有技术文献)(专利文献)专利文献1:日本特开2006-203023号公报专利文献2:日本特开2015-170746号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供既可保持半导体芯片相对于被搭载体的被粘接面的搭载精度,又可缩短芯片贴装工序所消耗的时间的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本专利技术的一个实施方式的半导体制造装置包括:工作台,与真空发生器相连接,用于吸附具有多个半导体芯片的半导体晶片;吸附控制部,连接于所述工作台与所述真空发生器之间的连接部,控制所述工作台与所述真空发生器之间的连接;拾取部,用于拾取所述多个半导体芯片的各个;以及控制部,用于控制所述拾取部的移动和旋转,并控制所述吸附控制部,其中,所述拾取部利用所述控制部将所述半导体芯片从所述工作台移动至支承基板上的安装位置而粘结。所述拾取部可以包括用于保持所述半导体芯片的喷嘴,所述控制部可以控制所述喷嘴的移动和旋转。所述半导体芯片在表面可以具有设置为能够光学读取的标记,还可以包括用于拍摄所述标记的拍摄部,所述控制部可以基于利用所述拍摄部拍摄的所述标记的图像,来识别所述标记的位置,并控制所述喷嘴的移动和旋转。还可以包括拍摄部,用于拍摄包括所述半导体芯片的端部的区域,所述控制部可以基于利用所述拍摄部拍摄的包括所述半导体芯片的端部的图像,来识别所述半导体芯片的角部位置,并控制所述喷嘴的移动和旋转。所述拍摄部可以从所述半导体芯片的上部面侧或背面侧拍摄包括所述半导体芯片的端部的区域。所述控制部可以对包括所述半导体芯片的端部的区域的图像进行二值化处理,来识别所述半导体芯片的角部位置。还可以包括剥离部,用于剥离安装在所述半导体晶片的与所述工作台对置的面相反一侧的面的保护带。本专利技术的一个实施方式的半导体制造装置包括:工作台,与真空发生器相连接,用于吸附具有多个半导体芯片的半导体晶片;吸附控制部,连接于所述工作台与所述真空发生器之间的连接部,控制所述工作台与所述真空发生器之间的连接;拾取部,用于同时拾取所述多个半导体芯片;以及控制部,用于控制所述拾取部的移动和旋转,并控制所述吸附控制部,所述拾取部通过将所述多个半导体芯片的间隔转换为规定间距并保持,所述拾取部利用所述控制部将所述多个半导体芯片从所述工作台移动至支承基板上的安装位置,使所述多个半导体芯片同时粘结在所述安装位置。所述拾取部可以包括用于分别保持所述多个半导体芯片的多个喷嘴,所述控制部可以控制所述多个喷嘴的各个的移动和旋转。所述多个半导体芯片的各个在表面可以具有设置为能够光学读取的标记,还包括用于拍摄所述标记的拍摄部,所述控制部可以基于利用所述拍摄部拍摄的所述标记的图像,来识别所述标记的位置,控制所述多个喷嘴的移动和旋转。还包括拍摄部,用于拍摄包括所述半导体芯片的端部的区域,所述控制部可以基于利用所述拍摄部拍摄的包括所述半导体芯片的端部的图像,来识别所述半导体芯片的角部位置,并控制所述多个喷嘴的移动和旋转。所述拍摄部可以从所述半导体芯片的上部面侧或背面侧拍摄包括所述半导体芯片的端部的区域。所述控制部可以对包括所述半导体芯片的端部的区域的图像进行二值化,来识别所述半导体芯片的角部位置。还可以包括剥离部,用于剥离安装在所述半导体晶片的与所述工作台对置的面相反一侧的面的保护带。本专利技术的一个实施方式的半导体装置的制造方法中包括如下步骤:将具有多个半导体芯片的半导体晶片配置在与真空发生器相连接的工作台上;拾取所述多个半导体芯片的各个;以及将所述多个半导体芯片的各个移动至支承基板上的安装位置并粘结。关于所述半导体装置的制造方法,在将所述半导体晶片配置在所述工作台上之前,还可以包括如下步骤:在所述半导体晶片的第一表面上粘贴保护带;以及磨削与所述第一表面相反一侧的第二表面,将所述多个半导体芯片单片化。在所述半导体装置的制造方法中,将所述半导体晶片配置在所述工作台上的步骤是指使所述半导体晶片的所述第二表面与所述工作台对置,将所述半导体晶片配置在所述工作台上,还可以包括在将所述半导体晶片配置在所述工作台上之后,且在同时拾取所述多个半导体芯片之前,从所述半导体晶片的所述第一表面剥离所述保护带的步骤。本专利技术的一个实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤:将具有多个半导体芯片的半导体晶片配置在与真空发生器相连接的工作台上;同时拾取所述多个半导体芯片;将所述多个半导体芯片的各个的间隔转换为规定间距;将所述多个半导体芯片移动至支承基板上的安装位置;以及将所述多个半导体芯片同时粘结在所述安装位置。关于所述半导体装置的制造方法,在将所述半导体晶片配置在所述工作台上之前,还可以包括如下步骤:在所述半导体晶片的第一表面上粘贴保护带;以及磨削与所述第一表面相反一侧的第二表面,将所述多个半导体芯片单片化。在所述半导体装置的制造方法中,将所述半导体晶片配置在所述工作台上的步骤是指通过使所述半导体晶片的所述第二表面与所述工作台对置,将所述半导体晶片配置在所述工作台上,还可以包括在将所述半导体晶片配置在所述工作台上之后,且在同时拾取所述多个半导体芯片之前,从所述半导体晶片的所述第一表面剥离所述保护带的步骤。根据本专利技术,能够提供既可保持半导体芯片相对于被搭载体的被粘接面的搭载精度,又可缩短芯片贴装工序所消耗的时间的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。附图说明图1为示出本专利技术的第一实施方式的半导体制造装置的框图。图2A为说明将粘贴在半导体晶片的保护膜剥离的工序的图。图2B为说明将粘贴在半导体晶片的保护膜剥离的工序的图。图2C为说明将粘贴在半导体晶片的保护膜剥离的工序的图。图3为说明利用本专利技术的第一实施方式的半导体制造装置的半导体装置的制造方法的流程图。图4为示出本专利技术的第二实施方式的半导体制造装置的框图。图5A为示出拾取半导体芯片,并将半导体芯片的间隔转换为规定间距的工序的图。图5B为示出拾取半导体芯片,并将半导体芯片的间隔转换为规定间距的工序的图。图6为示出进行空出规定间距的半导体芯片的位置校正的工序的图。图7为示出将半导体芯片粘结在支承基板上的工序的图。图8为说明利用本专利技术的第二实施方式的半导体制造装置的半导体装置的制造方法的流程图。(附图标记的说明)100、200:半导体制造装置;101:工作台;103、203:拾取部;105:控制部;107、207:喷嘴;109、209:移动控制部;111:半导体晶片;113:半导体芯片;115:第一真空发生器;117:支承基板;119:拍摄部;121:第二真空发生器;123:吸附控制部;125:第一连接部;本文档来自技高网...
半导体制造装置及制造方法

【技术保护点】
一种半导体制造装置,包括:工作台,与真空发生器相连接,用于吸附具有多个半导体芯片的半导体晶片;吸附控制部,连接于所述工作台与所述真空发生器之间的连接部,控制所述工作台与所述真空发生器之间的连接;拾取部,用于拾取所述多个半导体芯片的各个;以及控制部,用于控制所述拾取部的移动和旋转,并控制所述吸附控制部,所述拾取部利用所述控制部将所述多个半导体芯片的各个从所述工作台移动至支承基板上的安装位置而进行粘结。

【技术特征摘要】
2016.05.23 JP 2016-1024811.一种半导体制造装置,包括:工作台,与真空发生器相连接,用于吸附具有多个半导体芯片的半导体晶片;吸附控制部,连接于所述工作台与所述真空发生器之间的连接部,控制所述工作台与所述真空发生器之间的连接;拾取部,用于拾取所述多个半导体芯片的各个;以及控制部,用于控制所述拾取部的移动和旋转,并控制所述吸附控制部,所述拾取部利用所述控制部将所述多个半导体芯片的各个从所述工作台移动至支承基板上的安装位置而进行粘结。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,所述拾取部包括用于保持所述多个半导体芯片的各个的喷嘴,所述控制部用于控制所述喷嘴的移动和旋转。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其中,所述多个半导体芯片的各个在表面具有设置为能够光学读取的标记,还包括用于拍摄所述标记的拍摄部,所述控制部基于利用所述拍摄部拍摄的所述标记的图像,来识别所述标记的位置,并控制所述喷嘴的移动和旋转。4.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其中,还包括拍摄部,用于拍摄包括所述多个半导体芯片的各个的端部的区域,所述控制部基于利用所述拍摄部拍摄的包括所述多个半导体芯片的各个的端部的图像,来识别所述多个半导体芯片的各个的角部位置,并控制所述喷嘴的移动和旋转。5.根据权利要求4所述的半导体制造装置,其中,所述拍摄部用于从所述多个半导体芯片的各个的上部面侧或背面侧拍摄包括所述多个半导体芯片的各个的端部的区域。6.根据权利要求4所述的半导体制造装置,其中,所述控制部对包括所述多个半导体芯片的各个的端部的区域的图像进行二值化处理,来识别所述半导体芯片的各个的角部位置。7.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,还包括剥离部,用于剥离安装在所述半导体晶片的与所述工作台对置的面相反一侧的面的保护带。8.一种半导体制造装置,包括:工作台,与真空发生器相连接,用于吸附具有多个半导体芯片的半导体晶片;吸附控制部,连接于所述工作台与所述真空发生器之间的连接部,控制所述工作台与所述真空发生器之间的连接;拾取部,用于同时拾取所述多个半导体芯片;以及控制部,用于控制所述拾取部的移动和旋转,并控制所述吸附控制部,所述拾取部将所述多个半导体芯片的间隔转换为规定间距并保持,所述拾取部利用所述控制部将所述多个半导体芯片从所述工作台移动至支承基板上的安装位置,使所述多个半导体芯片同时粘结在所述安装位置。9.根据权利要求8所述的半导体制造装置,其中,所述拾取部包括用于分别保持所述多个半导体芯片的多个喷嘴,所述控制部用于控制所述多个喷嘴的各个的移动和旋转。10.根据权利要求9所述的半导体制造装置,其中,所述多个半导体芯片的各个在表面具有设置为能够光学读取的标记,还包括拍摄部,用于拍摄所述标记,所述控制部基...

【专利技术属性】
技术研发人员:甲斐稔
申请(专利权)人:株式会社吉帝伟士
类型:发明
国别省市:日本,JP

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