半导体封装件的制造方法技术

本发明专利技术提供高成品率的半导体封装件的制造方法。半导体封装件的制造方法包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成镀层。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件的制造方法
本专利技术涉及半导体封装件的制造方法。尤其是，本专利技术涉及在基材上的半导体装置的封装技术。
技术介绍
以往，在移动电话或智能电话等的电子设备中采用在支承基板上搭载有集成电路(IC)芯片等半导体装置的半导体封装件结构(例如日本特开2010-278334号公报)。在这种半导体封装件中，通常采用如下结构：在支承基材上经由粘接层接合IC芯片或存储器等的半导体装置，并利用密封体(密封用树脂材料)覆盖该半导体装置，由此来保护半导体器件。作为用于半导体装置的支承基材，采用印刷基材、陶瓷基材等各种基材。尤其是近年来，对于使用金属基材的半导体封装件的开发研究不断推进。在金属基材上搭载有半导体装置并通过再布线来扇出(fan-out)的半导体封装件具有电磁屏蔽性能、热性能优良的优点，作为高可靠性的半导体封装件而备受瞩目。这种半导体封装件还具有封装设计的自由度高的优点。在支承基材上搭载半导体装置的结构的情况下，通过在大型支承基材上搭载多个半导体装置，能够利用同一工序来制造多个半导体封装件。在这种情况下，形成在支承基材上的多个半导体封装件，在制造过程结束之后被单片化，从而完成各个半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和所述侧面部、所述第一导电层上以及所述开口部内形成镀层。

【技术特征摘要】
2016.06.17 JP 2016-1210241.一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和所述侧面部、所述第一导电层上以及所述开口部内形成镀层。2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述基材为不锈钢基材。3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述蚀刻为使用包含所述其他金属的离子的蚀刻液的湿法蚀刻。4.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述其他金属的离子化倾向小于所述基材所包含的至少一种所述金属的离子化倾向。5.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，利用无电解镀敷法来形成所述镀层。6.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述镀层包含与所述其他金属相同的金属。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：町田纮一，北野一彦，
申请(专利权)人：株式会社吉帝伟士，
类型：发明
国别省市：日本,JP