半导体封装件的制造方法技术

本发明专利技术提供高成品率的半导体封装件的制造方法。半导体封装件的制造方法包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成镀层。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件的制造方法
本专利技术涉及半导体封装件的制造方法。尤其是，本专利技术涉及在基材上的半导体装置的封装技术。
技术介绍
以往，在移动电话或智能电话等的电子设备中采用在支承基板上搭载有集成电路(IC)芯片等半导体装置的半导体封装件结构(例如日本特开2010-278334号公报)。在这种半导体封装件中，通常采用如下结构：在支承基材上经由粘接层接合IC芯片或存储器等的半导体装置，并利用密封体(密封用树脂材料)覆盖该半导体装置，由此来保护半导体器件。作为用于半导体装置的支承基材，采用印刷基材、陶瓷基材等各种基材。尤其是近年来，对于使用金属基材的半导体封装件的开发研究不断推进。在金属基材上搭载有半导体装置并通过再布线来扇出(fan-out)的半导体封装件具有电磁屏蔽性能、热性能优良的优点，作为高可靠性的半导体封装件而备受瞩目。这种半导体封装件还具有封装设计的自由度高的优点。在支承基材上搭载半导体装置的结构的情况下，通过在大型支承基材上搭载多个半导体装置，能够利用同一工序来制造多个半导体封装件。在这种情况下，形成在支承基材上的多个半导体封装件，在制造过程结束之后被单片化，从而完成各个半导体封装件。像这种在支承基材上搭载有半导体装置的半导体封装件的结构具有生产率高的优点。
技术实现思路
如上所述，在考虑到使用大型金属基材为支承基材的量产方法的情况下，需要满足如下条件：对该金属基材配置半导体装置时的高对准精度、半导体装置与布线之间的良好的接触、或成品率高的半导体封装件的单片化等。本专利技术是鉴于这些问题而提出的，其目的在于提供高成品率的半导体封装件的制造方法。本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成镀层。所述基材可以为不锈钢基材。所述蚀刻可以为使用包含所述其他金属的离子的蚀刻液的湿法蚀刻。所述其他金属的离子化倾向可以小于所述基材所包含的至少一种金属的离子化倾向。可以利用无电解镀敷法来形成所述镀层。所述镀层可以包含与所述其他金属相同的金属。还可以包括使所述镀层生长来形成第二导电层的步骤。根据本专利技术的半导体封装件的制造方法，能够提供高成品率的半导体封装件的制造方法。附图说明图1为本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的剖面示意图。图2为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材形成对准标记的工序的图。图3为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材形成粘接层的工序的图。图4为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，对支承基材的背面和侧面进行粗化的工序的图。图5为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，去除粘接层的一部分的工序的图。图6为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材上配置半导体装置的工序的图。图7为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，形成树脂绝缘层的工序的图。图8为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在树脂绝缘层上形成导电层的工序的图。图9为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，对导电层的表面进行粗化的工序的图。图10为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在树脂绝缘层形成开口部的工序的图。图11为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，去除导电层的表面中被粗化的区域并去除开口底部的残渣的工序的图。图12为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，利用无电解镀敷法形成导电层的工序的图。图13为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，形成感光性光刻胶的工序的图。图14为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，利用光刻去除感光性光刻胶的一部分的工序的图。图15为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，利用电解镀敷法形成导电层的工序的图。图16为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，去除感光性光刻胶的工序的图。图17为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，通过去除导电层的一部分来形成布线的工序的图。图18为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，形成覆盖布线的树脂绝缘层的工序的图。图19为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在树脂绝缘层形成用于露出布线的开口部的工序的图。图20为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在与露出的布线相对应的位置配置焊料球的工序的图。图21为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，将焊料球回流的工序的图。图22为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在树脂绝缘层形成达到支承基材的槽的工序的图。图23为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，通过切断支承基材来对半导体封装件进行单片化的工序的图。图24为本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的剖面示意图。图25为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，准备支承基材的工序的图。图26为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材形上成粘接层的工序的图。图27为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，对支承基材的背面和侧面进行粗化的工序的图。图28为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在粘接层形成对准标记的工序的图。图29为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材上配置半导体装置的工序的图。(附图标记的说明)10、20：半导体封装件；100：支承基材；102、114：对准标记；104、146：粗化区域；110：粘接层；112：开口部；120：半导体装置；122：外部端子；130：第一树脂绝缘层；132：开口部；140：布线；142：第一导电层；144：第二导电层；150：第二树脂绝缘层；152：开口部；160：焊料球；200：镀层；210：光刻胶；220：阻挡剂图案；230：厚膜区域；240：薄膜区域；250：切口具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的结构及其制造方法进行详细说明。以下所示的实施方式只是本专利技术的实施方式的一个示例，不应局限于这些实施方式来解释本专利技术。在本实施方式所参照的附图中，存在对同一部分或具有相同功能的部分赋予同一附图标记或类似的附图标记而省略对其的反复说明的情况。为了便于说明，存在附图的尺寸比率与实际的比率不同或结构的一部分从附图中省略的情况。为了便于说明，利用上方或下方的语句来进行说明，但可以配置成例如第一部件与第二部件之间的上下关系与图示相反的结构。以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和所述侧面部、所述第一导电层上以及所述开口部内形成镀层。

【技术特征摘要】
2016.06.17 JP 2016-1210241.一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的所述第一面和所述侧面部、所述第一导电层上以及所述开口部内形成镀层。2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述基材为不锈钢基材。3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述蚀刻为使用包含所述其他金属的离子的蚀刻液的湿法蚀刻。4.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述其他金属的离子化倾向小于所述基材所包含的至少一种所述金属的离子化倾向。5.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，利用无电解镀敷法来形成所述镀层。6.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述镀层包含与所述其他金属相同的金属。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：町田纮一，北野一彦，
申请(专利权)人：株式会社吉帝伟士，
类型：发明
国别省市：日本,JP