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本发明提供高成品率的半导体封装件的制造方法。半导体封装件的制造方法包括如下步骤：对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述...
该专利属于株式会社吉帝伟士所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社吉帝伟士授权不得商用。

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