半导体封装件的制造方法技术

本发明专利技术提供高成品率的半导体封装件的制造方法。本发明专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法包括如下步骤：在基材上配置包括外部端子的至少一个半导体装置，且使所述外部端子不与所述基材对置；在设置有所述至少一个半导体装置的基材上形成用于包围所述半导体装置的周围的框体；以及在所述框体的内侧形成包含树脂绝缘材料、并用于密封所述半导体装置的树脂绝缘层。

Manufacturing method of semiconductor package

The invention provides a manufacturing method for a high yield semiconductor package. Method of manufacturing a semiconductor package of the embodiment of the invention comprises the following steps: configuring at least one semiconductor device includes external terminals on the substrate, and the external terminal and the base frame for contraposition; around the semiconductor device substrate has at least one semiconductor device in the set; and on the inner side of the frame body is formed including resin insulating material, and a resin for sealing the semiconductor device insulation layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件的制造方法
本专利技术涉及半导体封装件的制造方法。尤其是，本专利技术涉及在基材上的半导体装置的封装技术。
技术介绍
以往，在移动电话或智能电话等的电子设备中采用在支承基板上搭载有集成电路(integratedcircuit，IC)芯片等半导体装置的半导体封装件结构(例如日本特开2010-278334号公报)。在这种半导体封装件中，通常采用如下结构：在支承基材上通过粘接层接合IC芯片或存储器等的半导体装置，并通过利用密封体(密封用树脂材料)覆盖该半导体装置，来保护半导体器件。作为用于半导体装置的支承基材，采用印刷基材、陶瓷基材等各种基材。尤其是，近年来，对于使用金属基材的半导体封装件的开发研究不断推进。在金属基材上搭载有半导体装置并通过再布线来扇出(fan-out)的半导体封装件具有电磁屏蔽性能、热性能优良的优点，作为高可靠性的半导体封装件而备受瞩目。这种半导体封装件还具有封装设计的自由度高的优点。在支承基材上搭载半导体装置的结构的情况下，通过在大型支承基材上搭载多个半导体装置，能够利用同一工序来制造多个半导体封装件。在这种情况下，形成在支承基材上的多个半导体封装件，在制造过程结束之后被单片化，从而完成各个半导体封装件。像这种在支承基材上搭载有半导体装置的半导体封装件的结构具有生产率高的优点。
技术实现思路
如上所述，在考虑到使用大型金属基材为支承基材的量产方法的情况下，需要满足如下条件：对该金属基材配置半导体装置时的高对准精度、半导体装置与布线之间的良好的接触、或高成品率的半导体封装件的单片化等。本专利技术是鉴于这些问题而提出的，其目的在于提供高成品率的半导体封装件的制造方法。本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在基材上配置包括外部端子的至少一个半导体装置，使得所述外部端子不与所述基材对置；在设置有所述至少一个半导体装置的基材上形成用于包围所述半导体装置的周围的框体；以及在所述框体的内侧形成包含树脂绝缘材料、用于密封所述半导体装置的树脂绝缘层。在配置所述半导体装置之前，还可以包括在所述基材上形成对准标记的步骤，其中，所述半导体装置配置于所述对准标记的内侧；所述框体形成于所述对准标记的外侧；还包括在所述对准标记与所述框体之间，对所述树脂绝缘层所密封的半导体装置进行单片化。在所述基材上形成所述框体之前，还可以包括如下步骤：对除配置所述半导体装置的面之外的所述基材的表面进行蚀刻；以及在蚀刻了的所述基材的表面析出金属，在形成了所述树脂绝缘层之后，还可以包括如下步骤：在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成电镀层。可以在所述基材上配置多个所述半导体装置，以包围所述多个半导体装置的各个的周围的方式形成所述框体。可以在所述基材上配置多个所述半导体装置，以包围所述多个半导体装置的周围的方式形成所述框体。在所述基材上形成所述框体之前，还可以包括如下步骤：对除配置所述半导体装置面之外的所述基材的表面进行蚀刻；以及在蚀刻了的所述基材的表面析出金属，在形成了所述树脂绝缘层之后，还可以包括如下步骤：在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成电镀层。由于所述框体的厚度被设定成适合于第一树脂绝缘层的绝缘层厚度，因此可以比所述半导体装置的厚度厚，也可以比所述半导体装置的厚度薄。所述框体可以包含环氧树脂。根据本专利技术的半导体封装件的制造方法，能够提供高成品率的半导体封装件的制造方法。附图说明图1为本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的剖面示意图。图2为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材形成对准标记的工序的图。图3为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材形成粘接层的工序的图。图4为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，对支承基材的背面和侧面进行粗化的工序的图。图5为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，去除粘接层的一部分的工序的图。图6为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材上配置半导体装置的工序的图。图7为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材上形成框体的工序的图。图8为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材上形成框体的工序的图。图9为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，形成树脂绝缘层的工序的图。图10为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在树脂绝缘层上形成导电层的工序的图。图11为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，对导电层的表面进行粗化的工序的图。图12为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在树脂绝缘层形成开口部的工序的图。图13为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，去除导电层的表面中被粗化的区域并去除开口底部的残渣的工序的图。图14为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，利用无电解镀敷法形成导电层的工序的图。图15为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，形成感光性光刻胶的工序的图。图16为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，利用光刻技术来去除感光性光刻胶的一部分的工序的图。图17为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，利用电解镀敷法来形成导电层的工序的图。图18为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，去除感光性光刻胶的工序的图。图19为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，去除导电层的一部分来形成布线的工序的图。图20为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，形成用于覆盖布线的树脂绝缘层的工序的图。图21为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在树脂绝缘层形成用于露出布线的开口部的工序的图。图22为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在与露出的布线相对应的位置配置焊料球的工序的图。图23为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，将焊料球回流的工序的图。图24为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在树脂绝缘层形成达到支承基材的槽的工序的图。图25为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，通过切断支承基材来对半导体封装件进行单片化的工序的图。图26为本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的剖面示意图。图27为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，准备支承基材的工序的图。图28为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在支承基材形成粘接层的工序的图。图29为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，对支承基材的背面及侧面进行粗化的工序的图。图30为示出在本专利技术的一个实施方式的半导体封装件的制造方法中，在粘接层形成对准标记的工序的图。图31为示出在本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在基材上配置包括外部端子的至少一个半导体装置，使得所述外部端子不与所述基材对置；在设置有所述至少一个半导体装置的基材上形成用于包围所述半导体装置的周围的框体；以及在所述框体的内侧形成包含树脂绝缘材料、用于密封所述半导体装置的树脂绝缘层。

【技术特征摘要】
2016.06.14 JP 2016-1182511.一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：在基材上配置包括外部端子的至少一个半导体装置，使得所述外部端子不与所述基材对置；在设置有所述至少一个半导体装置的基材上形成用于包围所述半导体装置的周围的框体；以及在所述框体的内侧形成包含树脂绝缘材料、用于密封所述半导体装置的树脂绝缘层。2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，形成所述树脂绝缘层的步骤包括如下步骤：将溶解有所述树脂绝缘材料的溶液流入所述框体的内侧；以及对溶解有所述树脂绝缘材料溶液进行热处理。3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，在配置所述半导体装置之前，还包括在所述基材上形成对准标记的步骤，其中，所述半导体装置配置于所述对准标记的内侧；所述框体形成于所述对准标记的外侧，还包括如下步骤：在所述对准标记与所述框体之间，对所述树脂绝缘层所密封的半导体装置进行单片化。4.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，在所述基材上形成所述框体之前，还包括如下步骤：对除配置所述半导体装置的面之外的所述基材的表面进行蚀刻；以及在蚀刻了的所述基材的表面析出金属，在形成了所述树脂绝缘层之后，还包括如下步骤：在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及在所述基材的第一面和侧面部、所述第一导电层上及所述开口部内形成电镀层。5.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，配置所述半导体装置的步骤包括在所述基材上配置多个所述半导体装置，形成所述框体的步骤包括以包围所述多个半导体装置的各个的周围的方式形成所述框体。6.根据权利要求2所述的半导体封装件的制造方法，其中，配置所述半导体装置的步骤包括在所述基材上配置多个所述半导体装置，形成所述框体的步骤包括以包围所述多个半导体装置的各个的周围的方式形成所述框体。7.根据权利要求3所述的半导体封装件的制造方法，其中，配置所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒木诚太，北野一彦，
申请(专利权)人：株式会社吉帝伟士，
类型：发明
国别省市：日本,JP