封装基板的构造及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种封装基板的构造及其制造方法，所述封装基板包含：一电路层，所述电路层上具有至少一连接垫；至少一导电柱，形成在所述连接垫上，所述导电柱具有一第一表面、一第二表面及一侧壁连接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积，所述第二表面结合于所述连接垫；以及一介电层，覆盖于所述电路层上，并包覆所述导电柱。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种封装基板的构造及其制造方法，特别是有关于一种可增加层间导通孔结合可靠度的的封装基板的构造及其制造方法。
技术介绍
现今，半导体封装产业为了满足各种高密度及微型化的封装需求，以供更多有源、无源元件及电路载接，半导体封装亦逐渐由双层电路发展出多层电路板(multi-layercircuit board),在有限空间下利用层间连接技术(Interlayerconnection)以扩大半导体封装基板(substrate)上可供运用的电路布局面积，以达到高电路密度的积体电路需要，降低封装基板的厚度，以在相同基板单位面积下容纳更大量的电路及电子元件。一般多层电路电路封装基板主要由多个电路层(circuit layer)及多个介电层 (dielectric layer)交替迭合所构成。通常电路层是由铜箔层搭配图案化光刻胶及蚀刻的工艺所制成，一般具有至少一电路及至少一连接垫；而介电层形成于电路层之间，用以保护并隔开各个电路层；且一般各电路层是利用激光钻孔在介电层上形成激光烧灼孔，之后再用金属材料将孔填起形成导通孔(via)结构。但由于激光照射加热的特性，所形成的激光烧灼孔径通常是一上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板的构造，其特征在于：所述封装基板的构造包含：一电路层，所述电路层具有至少一连接垫；至少一导电柱，形成在所述连接垫上，所述导电柱具有一第一表面、一第二表面及一侧壁连接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积，所述第二表面结合于所述连接垫；以及一介电层，覆盖于所述电路层上，并包覆所述导电柱。

【技术特征摘要】
1.一种封装基板的构造，其特征在于所述封装基板的构造包含 一电路层，所述电路层具有至少一连接垫； 至少一导电柱，形成在所述连接垫上，所述导电柱具有一第一表面、一第二表面及一侧壁连接所述第一表面和所述第二表面，所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积，所述第二表面结合于所述连接垫；以及一介电层，覆盖于所述电路层上，并包覆所述导电柱。2.如权利要求I所述的封装基板的构造，其特征在于所述导电柱的材料为铜。3.如权利要求I所述的封装基板的构造，其特征在于所述第二表面的面积小于所述连接垫的一上表面的面积。4.如权利要求I所述的封装基板的构造，其特征在于所述侧壁具有一内凹弧面结构。5.如权利要求4所述的封装基板的构造，其特征在于所述内凹弧面结构的高度等于所述导电柱的高度。6.如权利要求4所述的封装基板的构造，其特征在于所述内凹弧面结构的高度小于或等于所述导电柱的高度的一半。7.如权利要求I所述的封装基板的构造，其特征在于所述导电柱的高度大于40微米。8.如权利要求I所述的封装基板的构造，其特征在于所述导电柱的横截面为圆形。9.如权利要求8所述的封装基板的构造，其特征在于所述导电柱的第一表面的直径大于50微米。10.如权利要求8所述的封装基板的构造，其特征在于所述导电柱的第二表面的直径与所述第一表面的直径相差大于30微米。11.一种封装基板的制造方法，其特征在于所述制造方法包含步骤 (a)...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆松涛，黄建华，王德峻，罗光淋，方仁广，
申请(专利权)人：日月光半导体上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：