【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装构造，特别是有关于一种可避免电磁干扰的。
技术介绍
现今，半导体封装产业发展出各种不同型式的封装构造，以满足各种需求。一般的半导体封装构造是在一芯片的有源表面设置多个导电凸块，使有源表面通过导电凸块设置于一基板上，接着再从所述芯片侧边将底胶(under fill)填充于所述芯片与所述基板之间，以增强整体连接结构。由于静电或是外部电磁波的影响会干扰半导体封装构造内部芯片的电子讯号，因·此，半导体封装构造的外部通常会再设置一接地的金属盖(metal cap)以包围芯片的外侧及上侧，或是通过溅镀或电镀等的方式形成一金属镀膜来覆盖芯片的背面，以通过上述方式达到金属遮罩的效果，也称作电磁波遮蔽效应，可降低外界电荷、电磁波的影响。然而，前述金属盖的材料成本高，且占据空间。若使用目前金属镀膜，由于金属镀膜是形成在底胶填入芯片与基板之间以后，为了接地，金属镀膜将不可避免的延伸覆盖于底胶上以便电性连接到基板上的接地电路。由于金属镀膜与底胶的材质迥异，热膨胀系数(CTE)不同，使得金属镀膜在底胶表面的附着力不佳，导致金属镀膜在冷热交替下容易出现裂痕甚至与底胶分...
【技术保护点】
一种半导体封装构造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步骤：S1：提供一晶圆；S2：于所述晶圆的一第一表面进行第一次切割，以形成数个切槽，所述切槽将所述晶圆分成数个芯片单元，所述芯片单元包含第一表面，背对第一表面的第二表面及位于切槽内的侧面；S3：形成一导电遮罩层于所述数个芯片单元上，以使所述导电遮罩层覆盖所述芯片单元的第一表面及侧面并填满所述切槽；S4：对应所述切槽的位置对所述导电遮罩层进行第二次切割；以及S5：于每一芯片单元未覆盖导电遮罩层的第二表面形成一接地导线连接所述导电遮罩层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪嘉临，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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