封装基板制造技术

本实用新型专利技术公开一种封装基板，所述封装基板包含：一第一介电层；至少一第一导电柱，形成于所述第一介电层内；一种子层，覆盖于所述第一介电层的一上表面，并对应所述第一导电柱形成至少一开口；一第一电路层，形成于所述种子层上，并通过所述开口与所述第一导电柱电性连接，且所述第一电路层与所述种子层对应排列设置。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种封装基板，特别是有关于一种可增加层间导通孔结合可靠度的封装基板。
技术介绍
现今，半导体封装产业为了满足各种高密度及微型化的封装需求，以供更多有源、无源元件及电路载接，半导体封装亦逐渐由双层电路发展出多层电路板(mult1-layercircuit board),在有限空间下利用层间连接技术(Interlayerconnection)以扩大半导体封装基板(substrate)上可供运用的电路布局面积，以达到高电路密度之积体电路需要，降低封装基板的厚度，以在相同基板单位面积下容纳更大量的电路及电子元件。—般多层电路封装基板主要由多个电路层(circuit layer)及多个介电层(dielectric layer)交替迭合所构成。通常电路层是由铜箔层电镀搭配图案化光刻胶的工艺所制成；而介电层形成于电路层之间，用以保护并隔开各个电路层；且各电路层可通过介电层中的导电柱而彼此电性连接。在一现有电路层制作工艺中，为了电镀上铜箔作为电路层，在介电层上通常先形成一厚度较薄的种子层(由次微米级的导电粒子所组成，一般是由金属粒子所组成)，其可利用无电镀(化学镀)、物理沉积或溅镀等方式形成。之后，再利用电镀的方式和图案化光刻胶层在所述种子层上以形成电镀铜为电路层；接着，同样再利用电镀方式和导电柱图案光刻胶层，在电路层上以形成至少一导电柱。在上述的电路基板中，虽然种子层与电路层及导电柱的材质可以均为铜，但以微结构的角度而言，种子层是由次微米级的导电粒子所组成，其微结构可能受温度变化的影响而产生变化进而强度会改变。因此当电路基板在后续封装工艺及最终产品的使用状态时，所产生的热效应会导致种子层与电路层及导电柱接触的部分受到热应力(thermal stress)的破坏而易产生剥离或裂缝。而上述的剥离或裂缝现象会造成导电柱和电路层间接触不良，容易造成二者之间电性连接劣化，进而降低电路基板的结构可靠度(reliability)。故，有必要提供一种封装基板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种封装基板，以解决现有技术所存在的电路基板结构可靠度的问题。本技术的主要目的在于提供一种封装基板，其利用种子层在和导电柱连接的位置处形成一开口，进而使得电路层及导电柱之间的电性连接结构更可靠，并可以确保后续芯片的信号传输效果。为达成本技术的前述目的，本技术一实施例提供一种封装基板，其中所述封装基板包含:一第一介电层、至少一第一导电柱、一种子层及一第一电路层。所述第一导电柱形成于所述第一介电层内。所述种子层覆盖于所述第一介电层的一上表面，并对应所述第一导电柱形成至少一开口。所述第一电路层形成于所述种子层上，并通过所述开口与所述第一导电柱电性连接，且所述第一电路层与所述种子层对应排列设置。与现有技术相比较，本技术的封装基板，这样不但可使电路层及导电柱之间的电性连接结构更可靠，还可以确保芯片的信号传输效果。为让本技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下:附图说明图1是本技术一实施例封装基板的剖面示意图。图2是本技术另一实施例封装基板的剖面示意图。图3A-3G是以剖面示意图的方式表示本技术一实施例制造方法的步骤。具体实施方式为让本技术上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本技术较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「顶」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「倾面」、「周围」、「中央」、「水平」、「横向」、「垂直」、「纵向」、「轴向」、「径向」、「最上层」或「最下层」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本技术，而非用以限制本技术。请参照图1所示，本技术一实施例的封装基板I主要包含:一第一介电层10a、至少一第一导电柱11a、一第二电路层12、一种子层13’、一第一电路层14、一第二介电层IOb及至少一第二导电柱lib。所述第一导电柱Ila形成于所述第一介电层IOa内。所述第二电路层12形成于所述第一介电层IOa的一下表面,并与所述第一导电柱Ila电性连接。所述种子层13’覆盖于所述第一介电层IOa的一上表面,并对应所述第一导电柱Ila形成至少一开口 130。所述第一电路层14形成于所述种子层13’上，并通过所述开口 130与所述第一导电柱Ila电性连接，且所述第一电路层14与所述种子层13’对应排列设置。所述第二介电层IOb覆盖于所述第一介电层IOa及所述第一电路层14上。所述第二导电柱Ilb形成于第二介电层IOb内，并与所述第一电路层14电性连接。请再参照图1所示，本实施例的第一介电层IOa的材料可为绝缘树脂材料，例如玻璃纤维层经过含浸环氧树脂(epoxy)并干燥硬化后所制成的B阶化胶片(B-stagepr印reg)，其利用其在高温高压中的再熔胶以及流胶特性，压合在一承载板或工作台上，接着再次加热固化即可得到所述第一介电层10a，所述第一介电层IOa的高度约介于30至150微米之间，但并不限于此。在本实施例中，所述至少一第一导电柱Ila是预先以电镀搭配图案化光刻胶的工艺形成的，接着才被包埋在所述第一介电层IOa内，所述第一导电柱I Ia的横截面的形状可选自圆形，三角形或多边形等，其表面可用作打线表面、植球表面或是层间导通；再者，所述第一介电层IOa的一表面(如下表面)可选择以类似工艺预先形成所述第二电路层12。所述第一介电层IOa及第一导电柱Ila的材质例如为铜、镍、金、银或铝等，但并不限于此。所述第一导电柱Ila的高度约介于20至100微米之间，但并不限于此。所述第二电路层12的厚度通常明显小于所述第一导电柱Ila的高度。所述第二电路层12在此可做为一外电路层，并与所述第一导电柱Ila电性连接。在本实施例中，所述种子层13’由次微米级的导电粒子所组成，一般是由金属粒子所组成，例如为铜，及所述种子层13’的厚度等于或小于I微米。所述种子层13’是以无电镀(化学镀)、物理沉积或溅镀等方式形成覆盖于所述第一介电层IOa上，并对应所述第一导电柱Ila形成至少一开口 130。所述开口 130的面积可以等于或小于所述第一导电柱Ila的横截面积。在本实施例中，所述第一电路层14是以电镀搭配图案化光刻胶的工艺形成于所述种子层13’上，并通过所述开口 130与所述第一导电柱Ila电性连接。所述第一电路层14的材质例如为铜、镍、金、银或铝等，但并不限于此。在本实施例中，相似的，所述第二介电层IOb的材料同样可为绝缘树脂材料，例如玻璃纤维层经过含浸环氧树脂并干燥硬化后所制成的B阶化胶片，其利用其在高温高压中的再熔胶以及流胶特性，压合在所述第一电路层14及第一介电层IOa上，接着再次加热固化即可得到所述第二介电层10b，所述第二介电层IOb的高度大致相同于所述第一介电层10a，但并不限于此。在本实施例中，所述至少一第二导电柱Ilb形成于所述第二介电层IOb内，并与所述第一电路层14电性连接。所述第二导电柱Ilb是预先以电镀搭配图案化光刻胶的工艺形成在所述第一电路层14上，再受所述第二介电层IOb所覆盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板，其特征在于：所述封装基板包含：一第一介电层；至少一第一导电柱，形成于所述第一介电层内；一种子层，覆盖于所述第一介电层的一上表面，并对应所述第一导电柱形成至少一开口；以及一第一电路层，形成于所述种子层上，并通过所述开口与所述第一导电柱电性连接，且所述第一电路层与所述种子层对应排列设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王德峻，黄建华，罗光淋，方仁广，
申请(专利权)人：日月光半导体上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31