半导体封装及其制造方法以及半导体封装模块技术

此处公开了一种半导体封装，该半导体封装包括：第一基片，该第一基片具有形成在该第一基片的一个表面上的凹部以及形成在该凹部的底表面上的开口；第二基板，该第二基板与所述第一基板的另一个表面接触；以及半导体芯片，该半导体芯片安装在所述凹部中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装、一种制造该半导体封装的方法以及一种具有该半导体封装的半导体封装模块。
技术介绍
无论在什么应用领域，电子产品已经向着小型化和轻薄化的趋势发展。重点仍然是尺寸减小的同时使可靠性保持不变或提高。例如，对于涉及电力的产品，由于增加了被称作热发生(heat generation)的可靠性降低因素，因此相比其它应用领域需要更加深入地考虑可靠性。尤其，当将多个功率半导体集合为一个模块时，例如热积聚、由于热造成性能下降以及寿命减少的问题可能瞬间成为造成产品概念和结构改变的危险因素。同时，为了提高产品的可靠性，免除制造成本减少的例子已经迅速增加。在相关
中的功率半导体模块已经在韩国专利N0.2001-0111736(韩国未经实审的出版物)中公开。在相关
中的功率半导体模块使用具有电路的第一基板和实现散热功能的第二基板，所述第一基板和所述第二基板相结合。在这种情况下，使用含有环氧基树脂或焊料的粘合剂使第一基板和第二基板结合，并且使用同样材料的粘合剂或其它粘合剂使所述第一基板和半导体芯片结合。然而，上述方法存在弊端，由于多个基板或者基板和半导体芯片通过使用相同材料的粘合剂或不同材料的粘合剂结合，并且因此在部件之间形成非均匀物质，从而降低部件之间的热和机械可靠性(thermal and mechanical reliabilities)。而且，由于使用具有两个步骤(即将第一基板和第二基板结合以及将半导体芯片结合到第一基板上)的方法，需要进行与部件数量相同的加工过程。因此，加工时间增加并且因此效率降低，并且由于加工过程的数量增加，所使用的材料的数量也增加，从而造成制造成本的增加。
技术实现思路
本专利技术致力于提供能够简化程序、减少制造成本并提高耐热可靠性的一种半导体封装、一种制造该半导体封装的方法以及一种具有该半导体封装的半导体封装模块。根据本专利技术的优选实施方式，提供了一种半导体封装，该半导体封装包括:第一基板，该第一基板具有形成在该第一基板的一个表面上的凹部以及形成在该凹部的底表面上的开口 ；第二基板，该第二基板与所述第一基板的另一个表面接触；以及半导体芯片，该半导体芯片安装在所述凹部中。在本专利技术中，所述半导体封装还可以包括结合部，该结合部置于所述第一基板和所述第二基板之间。其中，所述结合部通过所述第一基板的所述开口与安装在所述凹部中的所述半导体芯片接触，并且，所述结合部可以由焊料、非导电环氧基树脂、导电树脂或导电薄膜制成。此外，所述第一基板和所述第二基板可以是金属基板、陶瓷基板或环氧基树脂基板。根据本专利技术的另一种优选实施方式，提供了一种制造半导体封装的方法，该制造半导体封装的方法包括:制备第一基板和第二基板，所述第一基板具有形成在该第一基板的一个表面上的凹部以及形成在该凹部的底表面上的开口，所述第二基板为板状；在所述第二基板的一个表面上形成粘结层；通过所述粘结层将所述第一基板的另一个表面与所述第二基板的一个表面结合；将半导体芯片安装在所述第一基板的所述凹部中；以及通过实施硬化处理将所述半导体芯片、所述第一基板以及所述第二基板结合。所述粘结层可以由焊料、非导电环氧基树脂、导电树脂或导电薄膜制成，并且，所述第一基板和所述第二基板可以是金属基板、陶瓷基板或环氧基树脂基板。根据本专利技术的又一种优选实施方式，提供了一种半导体封装模块，该半导体封装模块包括:第一基板，该第一基板具有形成在该第一基板的一侧的一个表面上的一个或多个凹部以及形成在该凹部的底表面上的开口 ；第二基板，该第二基板的一侧的一个表面与所述第一基板的一侧的另一个表面接触；以及第一半导体芯片，该第一半导体芯片安装在所述凹部中，并且，所述第一基板的另一侧可以从所述第二基板伸出至外部。在本专利技术中，所述半导体封装模块还包括结合部，该结合部置于所述第一基板的一侧的另一个表面与所述第二基板的一个的一个表面之间。其中，所述结合部可以通过所述第一基板的所述开口与安装在所述凹部中的所述第一半导体芯片接触。所述结合部可以由焊料、非导电环氧基树脂、导电树脂或导电薄膜制成。所述第一基板可以是由铜(Cu)制成的引线框架。所述半导体封装模块还可以包括:第三基板，该第三基板与所述第二基板的一个表面的另一侧接触；以及第二半导体芯片，该第二半导体芯片安装在所述第三基板上。所述半导体封装模块还可以包括引线框架，该引线框架与所述第三基板电连接。其中，所述第三基板可以是印刷电路板(PCB)。所述半导体封装模块还可以包括连接件，该连接件与安装在所述一个或多个凹部中的所述第一半导体芯片彼此电连接。其中，所述连接件可以是带式、框架式或条式。所述半导体封装模块还可以包括模型材料，该模型材料形成为从所述第二基板的侧表面覆盖所述第一半导体芯片的上表面，并且，所述模型材料的与所述第一半导体芯片相对应的区域的一部分可以从所述模型材料的表面沿厚度方向被去除。附图说明图1是显示根据本专利技术的优选实施方式的半导体封装的结构的剖视图；图2至图4依次是显示根据本专利技术的优选实施方式的半导体封装的制造过程的剖视图；图5是显示根据本专利技术的优选实施方式的半导体封装模块的结构的剖视图；图6是显示根据本专利技术的另一种优选实施方式的半导体封装模块的结构的剖视图；以及图7是显示根据本专利技术的又一种优选实施方式的半导体封装模块的结构的剖视图。具体实施例方式本专利技术的各种特征和优点将通过下面结合附图对的描述变得显而易见。在本说明书和权利要求书中所使用的术语和措辞不应该被解释为限制于典型含义或字典定义，而应该基于一规则解释为具有与本专利技术技术范围相关的含义和概念，根据该规则，专利技术人能合适地定义术语的概念，以最合适地描述他或她所知晓的实施本专利技术的最佳方法。本专利技术的上述和其他的目的、特征和优点将通过下面结合附图的详细描述而更清楚地理解。在说明书中，全部附图部件添加了附图标记，应注意的是相同的附图标记表示相同的部件，即使该部件在不同附图中出现。在本专利技术的描述中，相关的已知功能和结构的详细描述将被省略，以不会使本专利技术的主旨模糊。在说明书中，使用术语“第一”、“第二”、“一个表面”、“另一个表面”等来区分一个部件和另一个部件，但是这些部件不限于上面的术语。以下，将参照附图对本专利技术的优选实施方式进行详细描述。半导体封装图1是显示根据本专利技术的优选实施方式的半导体封装的结构的剖视图。参见图1，根据本优选实施方式的半导体封装100包括第一基板101、第二基板103和半导体芯片107，所述第一基板101的一个表面上形成有凹部101a，所述第二基板103位于所述第一基板101的另一个表面上，所述半导体芯片107安装在所述凹部内。如图1所示，在第一基板101中，凹部IOla可以形成在第一基板101的一个表面上，并且开口 IOlc可以形成在成形的所述凹部IOla的底表面IOlb上。在本优选实施方式中，可以使用金属基板、陶瓷基板以及由环氧树脂制成的基板作为第一基板101，但是并不特别限制于此，并且甚至可以使用任何用于形成电路图案的材料。其中，金属基板可以由铜(Cu)制成，但是并不特别限制于铜。如图1所不，第二基板103可以设置为与第一表面101的另一个表面(即与第一基板101的形成有凹部IOla的表面相对的表面)接触。在此，可以使用金属基板、陶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，该半导体封装包括：第一基板，该第一基板具有形成在该第一基板的一个表面上的凹部以及形成在该凹部的底表面上的开口；第二基板，该第二基板与所述第一基板的另一个表面接触；以及半导体芯片，该半导体芯片安装在所述凹部中。

【技术特征摘要】
2011.10.27 KR 10-2011-01104901.一种半导体封装，该半导体封装包括: 第一基板，该第一基板具有形成在该第一基板的一个表面上的凹部以及形成在该凹部的底表面上的开口； 第二基板，该第二基板与所述第一基板的另一个表面接触；以及 半导体芯片，该半导体芯片安装在所述凹部中。2.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括结合部，该结合部置于所述第一基板和所述第二基板之间。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述结合部通过所述第一基板的所述开口与安装在所述凹部中的所 述半导体芯片接触。4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中，所述结合部由焊料、非导电环氧基树脂、导电树脂或导电薄膜制成。5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述第一基板和所述第二基板是金属基板、陶瓷基板或环氧基树脂基板。6.一种制造半导体封装的方法，该制造半导体封装的方法包括: 制备第一基板和第二基板，所述第一基板具有形成在该第一基板的一个表面上的凹部以及形成在该凹部的底表面上的开口，所述第二基板为板状； 在所述第二基板的一个表面上形成粘结层； 通过所述粘结层将所述第一基板的另一个表面与所述第二基板的一个表面结合； 将半导体芯片安装在所述第一基板的所述凹部中；以及 通过实施硬化处理将所述半导体芯片、所述第一基板以及所述第二基板结合。7.根据权利要求6所述的制造半导体封装的方法，其中，所述粘结层由焊料、非导电环氧基树脂、导电树脂或导电薄膜制成。8.根据权利要求6所述的制造半导体封装的方法，其中，所述第一基板和所述第二基板是金属基板、陶瓷基板或环氧基树脂基板。9.一种半导体封装模块，该半导体封装模块包括: 第一基板，该第一基板具有形成在该第一基板的一侧的一个表面上的一个或多个凹部以...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇洙，柳志满，任舜圭，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：