多层电子组件制造技术

技术编号:41300215 阅读:19 留言:0更新日期:2024-05-13 14:47
本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括电容形成部和盖部,所述电容形成部包括介电层和在第一方向上与所述介电层交替设置的内电极,所述盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面和另一表面上;以及外电极,设置在所述主体上,其中,在所述内电极与所述介电层之间的界面的一部分处设置有包含Al的第二相,并且所述第二相所占的面积相对于所述电容形成部的面积的比率大于等于0.03%且小于等于0.40%。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种多层电子组件


技术介绍

1、多层陶瓷电容器(mlcc,一种多层电子组件)是安装在诸如显示装置(包括液晶显示器(lcd)和等离子体显示面板(pdp))、计算机、智能电话、手机等的各种电子产品的印刷电路板上以允许在其中充电和从其放电的片式电容器。

2、目前,随着电子装置的小型化的发展,还要求多层电子组件的小型化和高集成度。特别地,在作为通用电子组件的多层陶瓷电容器(mlcc)的情况下,已经进行了各种尝试以进行其薄型化并在其中实现更高的电容。

3、在用于实现多层陶瓷电容器的小型化和高电容的方法中,减小内电极或介电层的厚度可能显著影响内电极的连通度或击穿电压(bdv)特性。

4、因此,需要设计能够确保电容特性同时确保内电极的连通度和可靠性的多层陶瓷电容器的结构。


技术实现思路

1、本公开的一方面在于改善多层电子组件的每单位体积的电容的同时改善击穿电压(bdv)特性。

2、本公开的另一方面在于确保内电极的电极连通度。

3、本公开的另一方面在于解本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层电子组件,包括:

2.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第二相还包含Ba。

3.根据权利要求2所述的多层电子组件,其中,所述第二相中包含的Al相对于Ba的摩尔比大于等于0.5且小于等于2.5。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第二相包括包含Al的氧化物。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第二相包含Al2O3。

6.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第二相为结晶形式。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第二相还包含从由Dy、Ym、Ho、Er、...

【技术特征摘要】

1.一种多层电子组件,包括:

2.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第二相还包含ba。

3.根据权利要求2所述的多层电子组件,其中,所述第二相中包含的al相对于ba的摩尔比大于等于0.5且小于等于2.5。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第二相包括包含al的氧化物。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第二相包含al2o3。

6.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第二相为结晶形式。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第二相还包含从由dy、ym、ho、er、la和sm组成的组中选择的至少一种。

8.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,

9.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述内电极的平均厚度为0.35...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑文成金政民朴辰琼张昌洙姜秀智金娜莹
申请(专利权)人:三星电机株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1