【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种多层电子组件。
技术介绍
1、多层陶瓷电容器(mlcc，多层电子组件中的一种)可以是安装在各种电子产品(诸如成像装置(诸如液晶显示器(lcd)或等离子显示面板(pdp))、计算机、智能电话或移动电话)的印刷电路板上的片式电容器，以用于在其中充电或从其放电。
2、这种多层陶瓷电容器小，具有高电容，可容易地安装在电路板上，因此可用作各种电子设备的组件，使得随着各种电子装置(诸如计算机和移动装置)中的每种具有更小的尺寸和更高的输出，对多层陶瓷电容器具有更小的尺寸和更高的电容的需求不断增加。
3、根据这种更小尺寸和更高性能的趋势，增加多层陶瓷电容器的每单位体积电容已经变得很重要。为了使多层陶瓷电容器具有更小的尺寸和更高的电容，需要减小介电层和内电极的厚度以增加堆叠层的数量。此外，内电极可能需要具有更高的连接性和均匀的厚度，以便改善多层陶瓷电容器的可靠性。
4、然而，当使用细晶粒的金属粉末颗粒以使内电极的厚度小于以前的厚度时，烧结-收缩起始温度可能更低，因此使内电极的收缩行为与介电层的收缩行为的差异增加，这可能导致内电极团聚或内电极断开。
5、此外，随着电容器在汽车电子组件等中的应用增加，可能需要电容器在各种环境中确保更高的可靠性。为了确保更高的可靠性，重要的是通过改善内电极的连接性和厚度均匀性来分散电场的集中。此外，可能需要电容器具有优异的高温负载寿命，以便在各种环境中确保更高的可靠性。
技术实现思路
1、本公开的一方面可提供一
2、本公开的另一方面可提供一种具有改善的电容的多层电子组件。
3、本公开的另一方面可提供一种具有优异的高温负载寿命的多层电子组件。
4、本公开的另一方面可提供一种其中抑制了内电极团聚或内电极断开的多层电子组件。
5、然而，本公开不限于以上描述，并且可在本公开的示例性实施例的描述中更容易地理解。
6、根据本公开的一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上。在所述介电层的与所述介电层和所述内电极之间的界面间隔开2nm的区域中，铟(in)相对于钛(ti)的平均含量满足大于等于0.3at％且小于等于3.8at％。
7、根据本公开的另一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上。在所述内电极的与所述内电极和所述介电层之间的界面间隔开2nm的区域中，铟(in)相对于镍(ni)的平均含量满足大于等于0.45at％且小于等于1.39at％。
8、根据本公开的另一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上以连接到所述内电极。所述介电层和/或所述内电极中包含铟(in)。σte/te为0.2或更小，其中，te表示所述内电极的平均厚度，σte表示所述内电极的厚度的标准差。
9、根据本公开的另一方面，一种多层电子组件可包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上以连接到所述内电极。所述介电层和/或所述内电极中包含铟(in)。所述内电极包括多个导电部分和设置在相邻的导电部分之间的断开部分，并且所述内电极的连接性大于等于85％，所述内电极的连接性是所述多个导电部分的长度之和与所述内电极的总长度的比率。
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1.一种多层电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述介电层的与所述介电层和所述内电极之间的所述界面间隔开2nm的区域中，铟相对于钛的平均含量满足大于等于1.3at％且小于等于3.3at％。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述介电层的与所述介电层和所述内电极之间的所述界面间隔开2nm的区域中，锡相对于钛的平均含量满足大于等于0.02at％且小于等于0.42at％。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述介电层的与所述介电层和所述内电极之间的所述界面间隔开2nm的区域中，镝相对于钛的平均含量满足大于等于3at％且小于等于7at％。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层包括Ba(Ti1-zInz)O3，其中，0<z<1。
6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，R1中包括的铟的平均含量高于所述介电层中的除了R1之外的区域中包括的铟的平均含量，R1表示所述介电层的距所述介电层与所述内电极之间的所述界面2nm以内的区域。
7.根据
8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述内电极的与所述内电极和所述介电层之间的所述界面间隔开2nm的区域中，铟相对于镍的平均含量满足大于等于0.67at％且小于等于1.14at％。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括镍和铟，并且所述内电极中包括的至少一些铟以铟与镍的合金的形式存在。
10.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，R中包括的铟的平均含量高于所述内电极或所述介电层中的除了R之外的区域中包括的铟的平均含量，R表示距所述内电极和所述介电层之间的所述界面2nm以内的区域。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当通过使用扫描透射电子显微镜-能量色散X射线光谱仪在垂直于所述介电层和所述内电极之间的所述界面的方向上对与所述界面相邻的区域进行线扫描分析时，在镍含量大于50at％且小于等于90at％的区域中检测到铟含量的峰值。
12.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当通过使用扫描透射电子显微镜-能量色散X射线光谱仪在垂直于所述介电层和所述内电极之间的所述界面的方向上对与所述界面相邻的区域进行线扫描分析时，在镍含量大于等于10at％且小于50at％的区域中检测到镝含量的峰值。
13.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括陶瓷颗粒，并且所述陶瓷颗粒包括铟。
14.根据权利要求13所述的多层电子组件，其中，包括在所述陶瓷颗粒的表面中的铟含量高于包括在所述陶瓷颗粒的内部中的铟含量，并且
15.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度大于等于300nm且小于等于10μm。
16.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极的平均厚度大于等于300nm且小于等于10μm。
17.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，σte/te满足小于等于0.2，其中，te表示所述内电极的平均厚度，并且σte表示所述内电极的厚度的标准差。
18.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括多个导电部分和设置在相邻的导电部分之间的断开部分，并且
19.一种多层电子组件，包括：
20.根据权利要求19所述的多层电子组件，其中，在所述内电极的与所述内电极和所述介电层之间的所述界面间隔开2nm的区域中，铟相对于镍的平均含量满足大于等于0.67at％且小于等于1.14at％。
21.根据权利要求19所述的多层电子组件，其中，在所述内电极的中央处的铟相对于镍的平均含量大于等于0.05at％且小于等于0.8at％。
22.根据权利要求19所述的多层电子组件，其中，在所述内电极的中央处的锡相对于镍的平均含量大于等于0.02at％且小于等于0.42at％。
23.根据权利要求19所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括陶瓷颗粒，并且所述陶瓷颗粒包括铟。
24.根据权利要求23所述的多层电子组件，其中，包括在所述陶瓷颗粒的表面中的铟含量高于包括在所述陶瓷颗粒的内部中的铟含量，并且所述陶瓷颗粒的所述表面中的铟相对于钛的平均含量满足大于等于0.3at％。
25.一种多层电子组件，包括：
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【技术特征摘要】
1.一种多层电子组件，包括：
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述介电层的与所述介电层和所述内电极之间的所述界面间隔开2nm的区域中，铟相对于钛的平均含量满足大于等于1.3at％且小于等于3.3at％。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述介电层的与所述介电层和所述内电极之间的所述界面间隔开2nm的区域中，锡相对于钛的平均含量满足大于等于0.02at％且小于等于0.42at％。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述介电层的与所述介电层和所述内电极之间的所述界面间隔开2nm的区域中，镝相对于钛的平均含量满足大于等于3at％且小于等于7at％。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层包括ba(ti1-zinz)o3，其中，0<z<1。
6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，r1中包括的铟的平均含量高于所述介电层中的除了r1之外的区域中包括的铟的平均含量，r1表示所述介电层的距所述介电层与所述内电极之间的所述界面2nm以内的区域。
7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述内电极的与所述内电极和所述介电层之间的所述界面间隔开2nm的区域中，铟相对于镍的平均含量满足大于等于0.45at％且小于等于1.39at％。
8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述内电极的与所述内电极和所述介电层之间的所述界面间隔开2nm的区域中，铟相对于镍的平均含量满足大于等于0.67at％且小于等于1.14at％。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括镍和铟，并且所述内电极中包括的至少一些铟以铟与镍的合金的形式存在。
10.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，r中包括的铟的平均含量高于所述内电极或所述介电层中的除了r之外的区域中包括的铟的平均含量，r表示距所述内电极和所述介电层之间的所述界面2nm以内的区域。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当通过使用扫描透射电子显微镜-能量色散x射线光谱仪在垂直于所述介电层和所述内电极之间的所述界面的方向上对与所述界面相邻的区域进行线扫描分析时，在镍含量大于50at％且小于等于90at％的区域中检测到铟含量的峰值。
12.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，当通过使用扫描透射电子显微镜-能量色散x射线光谱仪在垂直于所述介电层和所述内电极之间的所述界面的方向上对与所述界面相邻的区域进行线扫描分析时，在镍含量大于等于10at％且小于50at％的区域中检测到镝含量的峰值。
13.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括陶瓷颗粒，并且所述陶瓷颗粒包括铟。
14.根据权利要求13所述的多层电子组件，其中，包括在所述陶瓷颗粒的表面中的铟含量高于包括在所述陶瓷颗粒的内部中的铟含量，并且
15.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：金埈旿，金昞建，吴由弘，梁贤智，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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