具有其中有间隙的双密封环的集成电路制造技术

本发明专利技术涉及具有其中有间隙的双密封环的集成电路。可通过制造具有非邻近间隙的两个密封环而减少信号传播及水分渗透的量及因IC中的水分渗透降级所致的对应的可靠性问题。在一个实施例中，可通过制造具有带有偏移的入口部分及出口部分的沟道的宽密封环而达到相同效果。所述实施例中的任一者还可具有进一步减少信号传播的接地密封环区段。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及集成电路(1C)。更明确地说，本专利技术涉及用以减少信号传播及用以减少水分渗透的密封环配置。
技术介绍
在IC的周边周围制造密封环(其为由例如铜、铝或金的金属构成的环)以防止IC在切割过程期间破裂。使用密封环的额外益处为密封环充当对水分的屏障。即，随着时间逝去，由于IC暴露于水分，因此IC性能在不使用密封环的情况下可能降级。然而，使用这些密封环也具有缺点，包括不期望的噪声/信号传播。位于IC上的噪声源(例如，数字信号输入/输出衬垫、时钟输入衬垫、功率放大器等)常常使噪声沿密封环传播，噪声随后可干扰IC上的其它装置的操作。这会带来问题，因为IC上的装置则不如可以其它方式所预期及设计那样而彼此隔离。常规来说，密封环已采取两种形式。首先，已使用由一个固体金属片构成的单一密封环。通常掺杂在密封环之下的衬底，且接着使所述衬底与通孔一起连接到金属的底部以形成到金属密封环的最佳衬底连接。此有助于减少IC的水分污染，但然而，此类型的环允许噪声信号从噪声源沿密封环传播到IC上的其它装置。为减轻此噪声传播问题，已使用并入有若干“断裂”或间歇中断的单一密封环。此有助于减少噪声传播问题，但对可靠性存在一定风险，因为水分可经由密封环中的这些断裂进入IC且使装置性能随着时间逝去而降级。
技术实现思路
本专利技术是针对于一种制造将通过使密封环传导路径断裂而减少噪声传播同时还最小化渗透IC的水分的量的断裂密封环的方法。明确地说，本专利技术是针对于一种用于集成电路的密封系统，其中第一密封环限定(circumscribe)所述集成电路，且具有至少一个间隙。第二密封环限定所述第一密封环且具有从所述第一密封环的所述间隙偏移的至少一个间隙。本专利技术进一步针对于一种用于集成电路的密封系统，所述密封系统含有具有至少一个沟道的限定所述集成电路的密封环。所述沟道包括入口部分及出口部分。所述入口部分从所述出口部分偏移。本专利技术进一步针对于一种具有密封系统的集成电路，其中第一密封环限定所述集成电路，且具有至少一个间隙。第二密封环限定所述第一密封环。本专利技术进一步针对于一种用于通过形成限定集成电路的第一密封环而形成用于所述集成电路的密封系统的方法。所述第一密封环包括至少一个间隙。所述方法还包括形成限定所述第一密封环的第二密封环，其中所述第二密封环包括从所述第一密封环的所述间隙偏移的至少一个间隙。前述内容已相当广泛地概述了本专利技术的特征及技术优点以便可更好地理解以下本专利技术的详细描述。下文将描述本专利技术的额外特征及优点，其形成本专利技术的权利要求书的标的物。所属领域的技术人员应了解，所揭示的概念及特定实施例可易于用作修改或设计其它结构以执行本专利技术的相同目的的基础。所属领域的技术人员还应认识到，所述等效构造并不脱离如在所附权利要求书中阐述的本专利技术的精神及范围。当结合附图考虑时，将从以下描述更好地理解据信为本专利技术所特有的新颖特征(关于其组织及操作方法两者)连同其它目标及优点。然而，应清楚理解，仅出于说明及描述的目的而提供附图中的每一者，且并不希望其作为本专利技术的限制的定义。附图说明图1A及图1B为具有常规密封环的IC装置的示意图。图2为示范性双断裂密封环的示意图。图3A及图3B为双断裂密封环的替代配置的示意图。图4为双断裂密封环的替代实施例的示意图。图5为展示可有利地使用本专利技术的实施例的无线通信系统的示意图。具体实施例方式图1A为具有常规密封环51的IC100 (例如，射频(RF) IC)的示意图。密封环51不具有断裂或中断。如上文所论述，由噪声源15产生的信号可沿密封环51传播且干扰IC上的其它装置的性能。举例来说，IC100包括低噪声放大器(LNA) 16，其为易受噪声效应影响的装置。因为LNA16易受噪声影响，所以已使其位于IC100上的尽可能远离噪声源15处。然而，所属领域的技术人员将理解，归因于噪声经由密封环51的传播，LNA16将仍然经受由噪声源15产生的噪声的不利效应。图1B为具有不同的常规密封环61的IClOl的示意图。如上文所论述，密封环61在密封环61中并入有断裂或开口 62。可在制造过程期间产生所述开口 62以减少由噪声源15产生的噪声经由密封环61传播到LNA16。然而，尽管密封环61与密封环51相比已改进噪声传播特性，但IClOl经由开口 62更易受水分(如由图1B中的H2O说明)渗透影响。图2为包括双断裂密封环的IClO的示意图。IClO包括两个密封环:外部环11限定内部环12。可以若干方式减少内部密封环12与外部密封环11之间的噪声耦合。举例来说，有可能阻碍这两个密封环11、12之间的衬底的掺杂，从而产生经由衬底的高电阻路径。另一选项为阻碍每一密封断裂内的衬底的掺杂，从而产生经由衬底的高电阻路径。或者或另外，有可能在每一密封环的区段上放置接地连接(ground connection)以减少噪声电流或信号。如果接地连接的数目是有限的，则一个实施例将接地连接到内部密封环12的所有区段。在一个实施例中，衬底为例如硅的半导体。在另一实施例中，衬底为陶瓷。为方便起见，尽管涵盖其它衬底(例如，砷化镓(Gal ium-Arsinide ))，但衬底将称为硅。注意，外部密封环11通过与内部密封环12的若干部分重叠来限定内部密封环12以减少水分渗透。如图2中可见，外部环11具有开口 13，且内部环12具有开口 14。开口13及14并不彼此对准，且事实上彼此偏移。此偏移由图3A更好地说明。开口 13与14之间的偏移减小来自大气的水分渗透到IClO中的可能性。如图2中所示，尽管水分(由H2O说明)可能能够经由开口 13渗透，但水分不会立即渗透到IClO中，水分渗透到IClO中可损坏IClO中的组件(例如，晶体管17)。水分由内部密封环12阻挡。可在沿外部环11及内部环12的周边的任何地方制造开口 13及14。在一个实施例中，开口 13及14包括交错约IOOum (或更多)的间隔，以减小水分渗透到IClO中的可能性。开口 13及14的一个目的是停止沿周边的噪声传导。在一个实施例中，开口被切割穿过每一密封环11及12的金属层以及衬底层。开口 13、14的不范性宽度为20um到50um。尽管图2说明外部密封环11上的三个开口及内部密封环12上的三个开口，但可对每一环添加额外开口。此外，每一密封环11及12可仅具有单一开口。在一个实施例中，外部密封环11不具有开口，而内部密封环12具有开口。另外，内部环12可包括比外部环11多的开口以减少IClO中的噪声传播同时仍增加防潮性。此外，可将多个开口添加到IClO上的尤其易受噪声影响的装置(例如，LNA16)的大致附近的内部环12。当内部环12包括多个开口时，优选定位外部环11使得开口 13从内部环12上的最近开口偏移。在一个实施例中,在噪声产生元件15或噪声敏感组件(例如,LNA16)的附近(或每一侧上)的内部密封环中提供开口 14。接着向密封环区段提供专用接地(图4)。尽管未展示于图式中，但可将LNA16提供于左下侧(如与如图2中所描绘的右下侧相对)。在此状况下，L形密封环区段将具有专用接地。在另一实施例中，仅在噪声产生/敏感组件的附近的密封环上提供单一开口。在此状况下，所述开口中断噪声产生元件与噪声敏感元件之间的最本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于集成电路的密封系统，其包含：密封环，其限定所述集成电路，所述密封环包括具有入口部分及出口部分的至少一个沟道，所述入口部分从所述出口部分偏移。

【技术特征摘要】
2008.10.03 US 12/245,0481.一种用于集成电路的密封系统，其包含: 密封环，其限定所述集成电路，所述密封环包括具有入口部分及出口部分的至少一个沟道，所述入口部分从所述出口部分偏移。2.根据权利要求1所述的密封系统，其进一步包含所述沟道内的掺杂较不重的区域，借此对跨越所述沟道的信号传播的抵抗力得以增加...

【专利技术属性】
技术研发人员：诺曼·小弗雷德里克，汤姆·迈尔斯，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：