【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体上涉及集成电路(1C)。更明确地说，本专利技术涉及用以减少信号传播及用以减少水分渗透的密封环配置。
技术介绍
在IC的周边周围制造密封环(其为由例如铜、铝或金的金属构成的环)以防止IC在切割过程期间破裂。使用密封环的额外益处为密封环充当对水分的屏障。即，随着时间逝去，由于IC暴露于水分，因此IC性能在不使用密封环的情况下可能降级。然而，使用这些密封环也具有缺点，包括不期望的噪声/信号传播。位于IC上的噪声源(例如，数字信号输入/输出衬垫、时钟输入衬垫、功率放大器等)常常使噪声沿密封环传播，噪声随后可干扰IC上的其它装置的操作。这会带来问题，因为IC上的装置则不如可以其它方式所预期及设计那样而彼此隔离。常规来说，密封环已采取两种形式。首先，已使用由一个固体金属片构成的单一密封环。通常掺杂在密封环之下的衬底，且接着使所述衬底与通孔一起连接到金属的底部以形成到金属密封环的最佳衬底连接。此有助于减少IC的水分污染，但然而，此类型的环允许噪声信号从噪声源沿密封环传播到IC上的其它装置。为减轻此噪声传播问题，已使用并入有若干“断裂”或间歇中断的单一密封环。此有...
【技术保护点】
一种用于集成电路的密封系统，其包含：密封环，其限定所述集成电路，所述密封环包括具有入口部分及出口部分的至少一个沟道，所述入口部分从所述出口部分偏移。
【技术特征摘要】
2008.10.03 US 12/245,0481.一种用于集成电路的密封系统，其包含: 密封环，其限定所述集成电路，所述密封环包括具有入口部分及出口部分的至少一个沟道，所述入口部分从所述出口部分偏移。2.根据权利要求1所述的密封系统，其进一步包含所述沟道内的掺杂较不重的区域，借此对跨越所述沟道的信号传播的抵抗力得以增加...
【专利技术属性】
技术研发人员：诺曼·小弗雷德里克，汤姆·迈尔斯，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。