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本发明涉及具有其中有间隙的双密封环的集成电路。可通过制造具有非邻近间隙的两个密封环而减少信号传播及水分渗透的量及因IC中的水分渗透降级所致的对应的可靠性问题。在一个实施例中，可通过制造具有带有偏移的入口部分及出口部分的沟道的宽密封环而达到相...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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