半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高生产效率和半导体装置的制造设计的自由度的半导体装置的制造方法。本发明专利技术为具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，其包括：准备在第1主面形成有导通构件的半导体芯片的工序；准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层的支撑结构的工序；以所述第1热固化型树脂层和所述半导体芯片的第1主面对置的方式在所述第1热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，以覆盖所述多个半导体芯片的方式在所述第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序；以及从所述支撑体侧照射放射线而使所述放射线固化型粘合剂层固化，由此在所述放射线固化型粘合剂层和所述第1热固化型树脂层之间进行剥离的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，半导体装置的小型化、布线的微细化有日益发展的趋势，在狭小的半导体芯片区域(以俯视透视半导体芯片的情况下为与半导体芯片重叠的区域)中必须配置更多的I/o衬垫和通孔，同时针孔密度也提高。进而,在BGA (Ball Grid Array)封装体中，由于在半导体芯片区域内形成有多个端子，并且用于形成其他的要素的区域受到限制，所以采用在半导体封装体基板上由端子至半导体芯片区域的外侧引出布线的方法。在这样的状況下，分别对应于半导体装置的小型化和布线的微细化时，因制造线路的增设或制造顺序的复杂化等会导致生产效率降低，也变得无法适应低成本化要求。与此相对，还提出了为了半导体封装体制作的低成本化，而在支撑体上配置被单片化的多个芯片，一次性进行树脂密封形成封装体的方法。例如，专利文献I中，采用形成在支撑体上的热敏性胶黏剂上排列单片化后的多个芯片，以覆盖芯片和热敏性胶黏剂的方式形成塑料制的共用载体后，利用加热剥离埋设了芯片的共用载体和热敏性胶黏剂的方法。先行技术文献专利文献专利文献1:美国专利第7，202，107号
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在专利文献I的中，由于共用载体的制作中使用热敏性胶黏剂，所以进行高温处理时受到限制，同时需要加热-放热的循环，因此从生产效率或半导体装置的制造设计的自由度的提高方面出发，具有改善的余地。因此，本专利技术的目的在于提供能够提高生产效率或半导体装置的制造设计的自由度的。用于解决问题的方案本专利技术人等进行了精心研究，结果发现通过配置半导体芯片的新型的支撑结构和利用该支撑结构的工艺能够解决上述课题，并完成了本专利技术。即，本专利技术为具备半导体芯片的，其包括准备在第I主面形成有导通构件的半导体芯片的工序，准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第I热固化型树脂层的支撑结构的工序，以上述第I热固化型树脂层和上述半导体芯片的第I主面对置的方式在上述第I热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，以覆盖上述多个的半导体芯片的方式在上述第I热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序，从上述支撑体侧照射放射线而使上述放射线固化型粘合剂层固化，由此在上述放射线固化型粘合剂层和上述第I热固化型树脂层之间进行剥离的工序。该制造方法中，利用在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第I的热硬化型树脂层的支撑结构，利用第I热固化型树脂层对预先形成有半导体芯片的导通构件的第I主面进行保护，然后利用放射线固化型粘合剂层的放射线固化在第I热固化型树脂层之间实现剥离容易性，因此也不需要加热-放热循环，另外，能够有效地适应各种类型的半导体装置(封装体)的制作。在该制造方法中，上述第I热固化型树脂层在50°C 200°C下的最低熔融粘度优选为5X102Pa · s以上IXlO4Pa · s以下。通过第I热固化型树脂层具有特定范围的最低熔融粘度，可以使半导体芯片中的导通构件在第I热固化型树脂层埋入性提高，同时可以防止在第I热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层时，配置在第I热固化型树脂层上的半导体芯片的位置偏移。在该制造方法中，上述第2热固化型树脂层优选为片状热固化型树脂层。若第2 热固化型树脂层为片状，则在半导体芯片的被覆中不仅可以贴付于第I热固化型树脂上， 且可以埋设半导体芯片，可以使半导体装置的生产效率提高。上述第2热固化型树脂层优选为由环氧树脂、酚醛树脂、填料及弹性体形成。由于上述第2热固化型树脂层利用这样的成分形成，所以在第I的固化型树脂层上贴付时，可以良好地埋入半导体芯片。上述多个半导体芯片向上述第I热固化型树脂层上配置时，优选为上述导通构件露出至上述第I热固化型树脂层和上述放射线固化型粘合剂层的界面。由此，剥离放射线固化型粘合剂层和第I热固化型树脂层时，使上述导通构件露出于第I热固化型树脂层的表面，并不需要为了与导通构件连接所包含的再布线，而再一次研削第I热固化型树脂层等而使导通构件露出，因此可以使半导体装置的制造效率提高。当然，该制造方法中，还包含上述放射线固化型粘合剂层的剥离后，使上述导通构件从上述第I热固化型树脂层的与上述半导体芯片相反侧的表面露出的工序，以这样的方式使导通构件从上述第I热固化型树脂层的表面露出之后，可以供于再布线工序。该制造方法中，为了与所得到的半导体装置的基板等进行连接，还可以包含在上述放射线固化型粘合剂层的剥离后，在上述第I热固化型树脂层上形成与上述露出的导通构件连接的再布线的工序。附图说明图1的(a)及(b)为示意性表示本专利技术的使用过的支撑结构的制作顺序的一例的剖面图。图2的(a) (f)为示意性表示本专利技术的一实施方式所述 的的各工序的剖面图。具体实施方式本专利技术为具备半导体芯片的，其包括准备在第I主面形成有导通构件的半导体芯片的工序，准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第I热固化型树脂层的支撑结构的工序，以上述第I热固化型树脂层和上述半导体芯片的第I主面对置的方式在上述第I热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，以覆盖上述多个半导体芯片的方式在上述第I热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序，从上述支撑体侧照射放射线而使上述放射线固化型粘合剂层固化的工序，以及在上述放射线固化型粘合剂层和上述第I热固化型树脂层之间进行剥离的工序。以下，边参照图面边对本专利技术的实施方式的一例进行说明。图1(a)及(b)为示意性表示本专利技术的使用的支撑结构的制作顺序的一例的剖面图。另外，图2(a) (f)为示意性表示本专利技术的一实施方式所述的的各工序的剖面图。首先，关于进行说明后，对利用该制造方法得到的半导体装置进行简单说明。[半导体芯片准备工序]半导体芯片准备工序中，准备在第I主面5a形成有导通构件6的半导体芯片5 (参照图2 (a))。半导体芯片5可以利用以往公知的方法，对在表面形成有电路的半导体晶片进行切割而进行单片化等，由此制作。作为半导体芯片5的俯视的形状，可根据作为目标的半导体装置而变更，例如可以是一边的长度为I 15mm范围内进行独立选择的正方形或矩形坐寸ο 半导体芯片的厚度可以根据作为目标的半导体装置的尺寸进行变更，例如为 10 725 μ m,优选为 30 725 μ m。在上述半导体芯片5的第I主面(电路形成面)5a上形成有导通构件6。作为该导通构件6没有特别限定，可举出凸块(bump)、针孔、引线等。作为导通构件6的材质没有特别限定，可举出例如锡-铅系金属材、锡-银系金属材、锡-银-铜系金属材、锡-锌系金属材、锡-锌-铋系金属材等的焊料类(合金)、或金系金属材、铜系金属材等。导通构件6 的高度也可以根据用途而定，通常为5 100 μ m左右。当然，在半导体芯片5的第I主面 5a中，各个导通构件6的高度可以相同也可以不同。[支撑结构准备工序]支撑结构准备工序中，准备在透射放射线的支撑体4上依次层叠有放射线固化型粘合剂层3和第I热固化型树脂层I的支撑结构10 (参照图1 (a)及(b))。(支撑体)上述支撑体4为支撑结构10的强度母体。作为支撑体4的材质，具有放射线透射性，从抑制芯片位移等的观点出发为低伸缩性、且从操作性的观点出发优选为具有刚性的材质。作为这样的材质可优选使用玻璃。另外，只要具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备半导体芯片，该制造方法包括：准备在第1主面形成有导通构件的半导体芯片的工序，准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层的支撑结构的工序，以所述第1热固化型树脂层和所述半导体芯片的第1主面对置的方式在所述第1热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，以覆盖所述多个半导体芯片的方式在所述第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序，以及从所述支撑体侧照射放射线而使所述放射线固化型粘合剂层固化，由此在所述放射线固化型粘合剂层和所述第1热固化型树脂层之间进行剥离的工序。

【技术特征摘要】
2011.09.28 JP 2011-2130241.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备半导体芯片，该制造方法包括 准备在第I主面形成有导通构件的半导体芯片的工序， 准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第I热固化型树脂层的支撑结构的工序， 以所述第I热固化型树脂层和所述半导体芯片的第I主面对置的方式在所述第I热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序， 以覆盖所述多个半导体芯片的方式在所述第I热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序，以及 从所述支撑体侧照射放射线而使所述放射线固化型粘合剂层固化，由此在所述放射线固化型粘合剂层和所述第I热固化型树脂层之间进行剥离的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第I热固化型树脂层在50°C 200°C下的最低熔融粘度为5X IO2Pa · s以上且IXlO4Pa · s以下。3.根据权利要求1所述的半导体装置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：小田高司，盛田浩介，丰田英志，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：