一种硅片的临时键合方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片的临时键合方法，包括步骤如下：1）将需要键合的硅片切割去除一外环，使其直径变小，2）在所述硅片的键合面或/和载片的键合面涂布粘合剂，并对其烘烤，3）将所述硅片和载片进行临时键合，4）将所述硅片背面研磨减薄，5）进行硅片背面工艺，6）将减薄后的硅片从载片上解离。本发明专利技术因使用了和硅片直径一样的载片进行键合，使键合后的硅片在其背面进行传统的半导体工艺时，所使用的设备能和键合前的设备兼容，解决了传统键合/解离工艺中因必须使用较硅片直径更大的载片而引起的设备兼容性问题，提高了设备的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造工艺，涉及一种薄硅片的工艺方法，尤其涉及一种应用于薄娃片的临时键合方法。
技术介绍
随着半导体芯片对各种元器件集成度和功能越来越高的要求，传统的二维集成电路已难以满足其需求，因此一种新的技术，三维集成电路(3DIC)应运而生，其主要原理就是通过将娃片和娃片(Wafer to Wafer)或芯片和娃片(Chip to Wafer)上下层层堆叠的方式来提高芯片或各种电子元器件的集成度。在3DIC工艺中，需要对硅片进行减薄，一是为了减少封装厚度，二是通过减薄来暴露出用于链接上下两硅片的通孔(Via)金属塞。另外，近年来，绝缘栅双极晶体管(IGBT)逐渐成为国内半导体分立器件的研究热点，该类晶体管的集电极是在硅片的背面形成的，因此为了满足IGBT产品对结深、击穿电压以及散热的要求，也需要对硅片背面进行减薄。根据3DIC或IGBT产品的要求不同，所需硅片减薄后的厚度也不同(10-200微米)，最低甚至只有IOum (微米)，对于这样薄如纸的硅片，由于其机械强度的降低以及翘曲度/弯曲度的增加，普通的半导体设备几乎难以完成支撑和传输动作，碎片率非常高。为了解决这种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片的临时键合方法，其特征在于，包括步骤如下：（1）将需要键合的硅片切割去除一外环，使其直径变小；（2）在所述硅片的键合面或/和载片的键合面涂布粘合剂，并对其进行烘烤；（3）将所述硅片和载片进行临时键合；（4）将所述硅片背面研磨减薄；（5）进行硅片背面工艺；（6）将减薄后的硅片从载片上解离。

【技术特征摘要】
1.一种硅片的临时键合方法，其特征在于，包括步骤如下(1)将需要键合的硅片切割去除一外环，使其直径变小；(2)在所述硅片的键合面或/和载片的键合面涂布粘合剂，并对其进行烘烤；(3)将所述娃片和载片进打临时键合；(4)将所述硅片背面研磨减薄；(5)进行硅片背面工艺；(6)将减薄后的硅片从载片上解离。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述的外环的宽度为O.25-1毫米，即切割后硅片直径减少了 O. 5-2毫米。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述的外环使用金刚砂刀轮进行机械切除。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的粘合剂是指加热分解型粘合剂，或激光分解型粘合剂，或溶剂溶解型粘合剂。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在步骤(I)中，所述的粘合剂是Brewer Scinece公司的热分解型粘合剂WaferBOND HT10. 10。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的涂布粘合剂，是指只在已切除外环的硅片的键合面涂布粘合剂，或只在载片的键合面涂布粘合剂，或在已切除外环的硅片的键合面和载片的键合面都涂布粘合剂；所述涂布粘合剂的涂布方式采用旋涂方式或喷淋方式；所述的涂布粘合剂在烘烤后的厚度为5-100微米。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的涂布粘合剂采用旋涂方式在已切除外环的娃片的键合面和载片的键合面都涂布粘合剂，在供烤后，涂布在娃片的键合面上的粘合剂以及涂布在载片的键合面上的粘合剂的厚度均为25微米。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的载片材料是玻璃、蓝宝石或娃中的任一种；所述的载片直径和...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓波，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：