硅片的临时键合方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片的临时键合方法，包括步骤如下：1）在载片上制作一环形开槽；2）在硅片的键合面涂布粘合剂，并对其烘烤；3）将硅片和带有环形开槽的载片进行临时键合；4）将硅片背面研磨减薄；5）进行硅片背面工艺；6）将减薄后的硅片从带有环形开槽的载片上解离。本发明专利技术能防止在载片边缘的侧面残留粘合剂，从而在硅片和载片的解离过程中，可以解决传统工艺中因这种粘合剂残留而引起的硅片破裂问题，提高成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造工艺，涉及一种薄硅片的工艺方法，尤其涉及一种应用于薄娃片的临时键合方法。
技术介绍
随着半导体芯片对各种元器件集成度和功能越来越高的要求，传统的二维集成电路已难以满足其需求，因此一种新的技术，三维集成电路(3DIC)应运而生，其主要原理就是通过将娃片和娃片(Wafer to Wafer)或芯片和娃片(Chip to Wafer)上下层层堆叠的方式来提高芯片或各种电子元器件的集成度。在3DIC工艺中，需要对硅片进行减薄，一是为了减少封装厚度，二是通过减薄来暴露出用于链接上下两硅片的通孔(Via)金属塞。另外，近年来，绝缘栅双极晶体管(IGBT)逐渐成为国内半导体分立器件的研究热点，该类晶体管的集电极是在硅片的背面形成的，因此为了满足IGBT产品对结深、击穿电压以及散热的要求，也需要对硅片背面进行减薄。根据3DIC或IGBT产品的要求不同，所需硅片减薄后的厚度也不同(10-200微米)，最低甚至只有10微米，对于这样薄如纸的硅片，由于其机械强度的降低以及翘曲度/弯曲度的增加，普通的半导体设备几乎难以完成支撑和传输动作，碎片率非常高。为了解决这种薄硅片的支本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片的临时键合方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)在载片上制作一环形开槽；(2)在硅片的键合面涂布粘合剂，并对其进行烘烤；(3)将硅片和带有环形开槽的载片进行临时键合；(4)将硅片背面研磨减薄；(5)进行硅片背面工艺；(6)将减薄后的硅片从带有环形开槽的载片上解离。

【技术特征摘要】
1.一种硅片的临时键合方法，其特征在于，包括步骤如下 (1)在载片上制作一环形开槽； (2)在硅片的键合面涂布粘合剂，并对其进行烘烤； (3)将硅片和带有环形开槽的载片进行临时键合； (4)将硅片背面研磨减薄； (5)进行硅片背面工艺； (6)将减薄后的硅片从带有环形开槽的载片上解离。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述的载片材料是玻璃、蓝宝石或硅中的任一种；所述的载片直径比硅片直径大O 2毫米，所述的载片的厚度为200-2000 微米。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述的载片是直径为201毫米，厚度为500微米的玻璃圆片。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述的环形开槽，通过机械切割，或干法刻蚀，或湿法刻蚀的方法形成；所述的环形开槽的宽度为ι- ο毫米，深度为10-100微米，且所述环形开槽的外边框到载片边缘的距离为1-10毫米。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在步骤(I)中，所述的环形开槽通过机械切割的方法形成；所述的环形开槽的宽度为5毫米，深度为30微米，且所述环形开槽的外边框到载片边缘的距离为5毫米。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的粘合剂是指加热分解型粘合剂，或激光分解型粘合剂，或溶剂溶解型粘合剂；所述涂布粘合剂的涂布方式采用旋涂方式或喷淋方式；所述的涂布粘合剂在烘烤后的厚度为5-100微米。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的粘合剂是BrewerScinece公司的热分解型粘合剂WaferBOND HT 10. 10 ;所述涂布粘合剂的涂布方式采用旋涂方式；所述的涂布粘合剂在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓波，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：