沟槽的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽的形成方法，包括步骤：1）在硅衬底上进行介质层生长；2）沟槽刻蚀；3）在沟槽顶部及侧壁进行选择性硅外延生长；4）去除硅衬底上的介质层；5）经高温热氧化，在硅衬底上表面和沟槽内壁上形成热氧化膜；6）去除热氧化膜。本发明专利技术可以降低沟槽顶部角度的圆化难度，提高沟槽顶部的圆化效果。同时，本发明专利技术还可以获得无空洞的沟槽栅，并可以降低多晶硅的应力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造领域中的沟槽制造工艺，特别是涉及一种新的。
技术介绍
在半导体制造领域中，目前沟槽形成的主流方法是干法刻蚀，由于电学性能及其他方法的要求，沟槽刻蚀后，一般要求做顶部尖角的圆角化，及消除顶部的尖角。其中，消除顶部尖角常用的方法为牺牲氧化，即先在沟槽侧壁生长一层氧化膜，然后在去除，在高温下，利用尖角处氧化更多的原理，去除顶部尖角。一般温度越高，尖角圆化的效果越好，但在某些情况下，由于器件的限制，不能用太高温度，因此尖角圆化就比较难做。因此，需研发一种新的沟槽形成方法，以提高尖角圆化的效果。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种。该方法通过形成特殊的沟槽形貌，能降低沟槽顶部尖角圆化的难度，提高尖角圆化的效果。为解决上述技术问题，本专利技术的一种，包括步骤 I)在硅衬底上进行介质层生长；2)沟槽刻蚀；3)在沟槽顶部及侧壁进行选择性硅外延生长；4)去除硅衬底上的介质层；5)经高温热氧化，在硅衬底上表面和沟槽内壁上形成热氧化膜；6)去除热氧化膜。所述步骤I)中，介质层为Si02、SiN或SiON中的至少一种。该介质层的厚度为O.01 μ m 10 μ m,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅衬底上进行介质层生长；2）沟槽刻蚀；3）在沟槽顶部及侧壁进行选择性硅外延生长；4）去除硅衬底上的介质层；5）经高温热氧化，在硅衬底上表面和沟槽内壁上形成热氧化膜；6）去除热氧化膜。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括步骤 1)在硅衬底上进行介质层生长； 2)沟槽刻蚀； 3)在沟槽顶部及侧壁进行选择性硅外延生长； 4)去除硅衬底上的介质层； 5)经高温热氧化，在硅衬底上表面和沟槽内壁上形成热氧化膜； 6)去除热氧化膜。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤I)中，介质层为Si02、SiN或SiON中的至少一种； 其中，该介质层的厚度为O. 01 μ m 10 μ m，并以化学气相沉积或热氧化的方式形成该介质层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤2)中，沟槽刻蚀采用各项异性的干法刻蚀，以光刻胶为掩模，在预定区域刻蚀出沟槽。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤3)中，选择性硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘继全，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
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