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本发明公开了一种沟槽的形成方法，包括步骤：1）在硅衬底上进行介质层生长；2）沟槽刻蚀；3）在沟槽顶部及侧壁进行选择性硅外延生长；4）去除硅衬底上的介质层；5）经高温热氧化，在硅衬底上表面和沟槽内壁上形成热氧化膜；6）去除热氧化膜。本发明可以...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种沟槽的形成方法，包括步骤：1）在硅衬底上进行介质层生长；2）沟槽刻蚀；3）在沟槽顶部及侧壁进行选择性硅外延生长；4）去除硅衬底上的介质层；5）经高温热氧化，在硅衬底上表面和沟槽内壁上形成热氧化膜；6）去除热氧化膜。本发明可以...