【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造工艺，特别涉及一种。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，器件的特征尺寸对器件的性能表现至关重要。当器件的特征尺寸能满足预设的要求时，其往往能够使得器件的电阻、电容特性得到极大地提升，降低信号延迟及功耗，提高电子迁移率等。半导体晶圆的制造必须历经一工艺流程，该流程包括诸如刻蚀和光刻等各种不同的半导体晶圆工艺步骤。在传统的制造流程上会包括300 400步骤，其中每一步骤都会影响该半导体晶圆上器件的最终形貌，即影响器件的特征尺寸，从而影响器件的各种电特性。在传统的工艺流程上会区分为两类主要的次工艺流程，分别为前段制程(front end of line, FEOL)和后段制程(back end of line, BEOL)。传统的前段制程由晶圆的激光标记开始，和接下来浅沟槽隔离的形成、形成P阱和N阱的离子注入、多晶硅的刻蚀，以及诸如晶体管结构的漏极和源极等多种区域的离子注入。后段制程可包括金属层的形成，以及在晶圆上不同层的金属层间金属互连线、接触孔(via contact)的形成，通常有两层或更多金属层。在形成上述后段制程的结构时，通常将使用化...
【技术保护点】
一种晶圆后段制程控制方法，其特征在于，包括：多道半导体晶圆制造工艺以及至少一道用以调整半导体晶圆制造工艺的控制工艺。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆后段制程控制方法，其特征在于，包括多道半导体晶圆制造工艺以及至少一道用以调整半导体晶圆制造工艺的控制工艺。2.如权利要求1所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述控制工艺包括前馈控制及反馈控制。3.如权利要求2所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述半导体晶圆制造工艺包括化学气相沉积工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、物理气相沉积工艺及化学机械研磨工艺中的一种或多种。4.如权利要求3所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述前馈控制包括第一前馈控制，用以调整所述刻蚀工艺，其中，所述第一前馈控制的反馈参数为所述化学气相沉积工艺的工艺结果。5.如权利要求3所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述前馈控制还包括第二前馈控制，用以调整所述刻蚀工艺，其中，所述第二前馈控制的反馈参数为所述光刻工艺的工艺结果。6.如权利要求3所述的晶圆后段制程控制方法，其特征在于，所述反馈控制包括第一反馈控制，用以调整所述刻蚀工艺，其中，所述第一反馈控制的反馈参数为所述刻蚀工艺的工艺结果。7.如权利要求4至6中的任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，周俊卿，胡敏达，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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