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本发明公开了一种硅片的临时键合方法，包括步骤如下：1）在载片上制作一环形开槽；2）在硅片的键合面涂布粘合剂，并对其烘烤；3）将硅片和带有环形开槽的载片进行临时键合；4）将硅片背面研磨减薄；5）进行硅片背面工艺；6）将减薄后的硅片从带有环形开...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种硅片的临时键合方法，包括步骤如下：1）在载片上制作一环形开槽；2）在硅片的键合面涂布粘合剂，并对其烘烤；3）将硅片和带有环形开槽的载片进行临时键合；4）将硅片背面研磨减薄；5）进行硅片背面工艺；6）将减薄后的硅片从带有环形开...